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IRFZ48RLPBF HEXFET功率MOSFET( VDSS = 60V , RDS ( ON) = 0.018ヘ, ID = 50A ) (HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018ヘ , ID = 50A ))
.型号:   IRFZ48RLPBF
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描述: HEXFET功率MOSFET( VDSS = 60V , RDS ( ON) = 0.018ヘ, ID = 50A )
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018ヘ , ID = 50A )
文件大小 :   256 K    
页数 : 10 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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100%
PD - 95761
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l
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
滴在更换IRFZ48的
线性/音频应用
LEAD -FREE
HEXFET功率MOSFET
D
IRFZ48RSPbF
IRFZ48RLPbF
®
V
DSS
= 60V
R
DS ( ON)
= 0.018Ω
G
S
I
D
= 50*A
先进的HEXFET
®
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术,以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处,结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计, HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供了一个非常
高效,可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率
能力和尽可能低的导通电阻,在任何现有
表面贴装封装。对D
2
白是适宜于大电流
因为它的低的内部连接电阻和能应用
耗散高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
描述
D
2
PAK
IRFZ48RS
TO-262
IRFZ44RL
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
‚
峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3 srew
马克斯。
50*
50*
290
190
1.3
± 20
100
4.5
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.8
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
08/24/04
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