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IRFZ48ZSPBF 汽车MOSFET (AUTOMOTIVE MOSFET)
.型号:   IRFZ48ZSPBF
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描述: 汽车MOSFET
AUTOMOTIVE MOSFET
文件大小 :   280 K    
页数 : 12 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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100%
PD - 95574
汽车MOSFET
特点
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
IRFZ48ZPbF
IRFZ48ZSPbF
IRFZ48ZLPbF
HEXFET
®
功率MOSFET
D
V
DSS
= 55V
R
DS ( ON)
= 11mΩ
G
S
描述
专为汽车应用
中,这种HEXFET
®
功率MOSFET利用
最新的加工技术,以实现极
低导通电阻每硅片面积。另外
这种设计的特点是一个175 ℃的结
工作温度,快速开关速度和
改进型重复雪崩额定值。这些
特点相结合,使这个设计的EX-
tremely高效和用于可靠的设备
汽车应用和各种
其他应用程序。
I
D
= 61A
TO-220AB
IRFZ48Z
D
2
PAK
IRFZ48ZS
TO-262
IRFZ48ZL
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
(测试)
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V (硅有限公司)
连续漏电流, V
GS
@ 10V (参见图9)中
漏电流脉冲
马克斯。
61
43
240
91
0.61
± 20
73
120
看到图12a , 12b中, 15,16
-55〜 + 175
单位
A
c
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量(热有限公司)
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
°C
c
i
d
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
h
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
结到环境( PCB安装,稳态)
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
1.64
–––
62
40
单位
° C / W
j
HEXFET
®
是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
1
07/19/04
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