电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
CR105NP-7R5MC  CR105NP-681KC  CR105NP-680KB  CR105NP-8R6MB  CR105NP-390MB  NACCR10K356.3X6.1TR13F  CR105NP-121KB  NACCR10K166.3X6.1TR13F  NACCR10K355X6.1TR13F  CR105NP-181KB  
IRS2609DSPBF 半桥驱动器 (HALF-BRIDGE DRIVER)
.型号:   IRS2609DSPBF
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 半桥驱动器
HALF-BRIDGE DRIVER
文件大小 :   818 K    
页数 : 25 页
Logo:   
品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
购买 :   
  浏览型号IRS2609DSPBF的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号IRS2609DSPBF的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号IRS2609DSPBF的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号IRS2609DSPBF的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号IRS2609DSPBF的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号IRS2609DSPBF的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号IRS2609DSPBF的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号IRS2609DSPBF的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
IRS2609DSPbF
2011年6月1日
IRS2609DSPbF
半桥驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+600 V
耐负瞬态电压 - 的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
欠压锁定两个通道
兼容3.3 V , 5 V和15 V输入逻辑
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
高侧输出同相输入端IN
内置530 ns的死区时间
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
关闭输入关闭两个通道
集成自举二极管
符合RoHS
套餐
8引脚SOIC
产品概述
V
OFFSET
I
O+/-
V
OUT
t
开/关
(典型值)。
死区时间
600 V最大。
120毫安/ 250毫安
10 V – 20 V
750纳秒& 200纳秒
530纳秒
描述
该IRS2609D是一个高电压,高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器与相关的高与低
侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存器
免疫CMOS技术使坚固耐用的单片
建设。逻辑输入与标准兼容的
CMOS或LSTTL输出,下降至3.3 V逻辑。输出
驱动器具有高脉冲电流缓冲级,
最小驱动器跨导。浮置沟道
可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT
在工作频率高达600 V的高侧配置
应用范围:
*空调
*微/小型变频器驱动
*通用变频器
*电机控制
典型连接
www.irf.com
1
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7