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S71PL064JB0BAWTZ0  EL5111IWTZ-T7  DDW-UJD-T2  BL-PDW-UJD-C20  S71WS256JA0BFWTY0  S71PL254JC0BAWTZ0  DWW-UJG  S71PL064JA0BAWTZ0  DDW-UJD-V1  MT5050W-UG  
IRFHE4250D  ()
.型号:   IRFHE4250D
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文件大小 :   531 K    
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品牌   IR [ IR ]
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100%
 
Q1 - 控制用FET
100
不限按包
80
ID ,漏电流( A)
ID ,漏电流( A)
IRFHE4250DPbF
Q2 - 同步FET
350
300
不限按包
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C ,外壳温度( ° C)
T C ,外壳温度( ° C)
60
40
20
0
图19 。
最大漏极电流与外壳温度
2.2
VGS ( th)时,栅极阈值电压( V)
图20 。
最大漏极电流与外壳温度
2.5
VGS ( th)时,栅极阈值电压( V)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ,温度(° C)
ID = 35μA
2.0
1.5
ID = 1.0毫安
1.0
0.5
0.0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ,温度(° C)
图21 。
阈值电压与温度的关系
300
EAS ,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
EAS ,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
图22 。
阈值电压与温度的关系
2000
250
200
150
100
50
0
25
50
75
ID
顶部
8.6A
15A
BOTTOM 32A
1500
ID
顶部
18A
33A
BOTTOM 63A
1000
500
0
100
125
150
25
50
75
100
125
150
开始T J ,结温( ° C)
开始T J ,结温( ° C)
图23 。
最大雪崩能量与漏电流
7
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图24 。
最大雪崩能量与漏电流
2013年9月26日
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