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RT1P141X系列
\u003c晶体管\u003e
晶体管,电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
描述
RT1N141X是一个芯片晶体管
具有内置偏置电阻, PNP型是RT1P141X 。
RT1N141U
1.6
概要
制图
RT1N141C
2.5
单位:mm
特征
·内置偏置电阻( R1 = 10kΩ的, R2 = 10kΩ的) 。
0.5
0.4
0.8
0.4
0.5
1.5
0.5
0.3
0.95
2.9
1.90
1.6
1.0
应用
反相电路,开关电路,接口电路,
驱动器电路。
0.7
0.15
1.1
0.55
0.8
0.16
0�½�0.1
R1
B
(中)
R2
C
(下)
JEITA : -
JEDEC : -
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
JEITA:SC-59
JEDEC :类似TO- 236
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
E
(GND)的
RT1N141M
RT1N141S
2.1
4.0
0.425
1.25
0.425
RT1N141T
0�½�0.1
等效电路
0.95
0.5
0.2
0.8
0.2
3.0
0.65
0.3
0.4
1.0
2.0
1.3
0.65
1.2
0.8
0.1
0.45
14.0
1.0
0.9
0.4
0.7
0�½�0.1
2.5
0.15
0.45
1.27 1.27
0.4
JEITA : -
JEDEC :
端子连接器
② :辐射源
--Collector
内部BASE
JEITA:SC-70
JEDEC : -
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
JEITA : -
JEDEC : -
端子连接器
内部BASE
② :辐射源
--Collector
谏早电子股份有限公司
0.25
0.4
RT1P141X系列
最大额定值( TA = 25 ℃ )
符号
CBO
EBO
CEO
CM
T�½�
T�½��½��½�
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集热器
dissipation(Ta=25℃)
结温
储存温度
RT1N141T
RT1N141U
等级
RT1N141M
50
10
50
100
200
\u003c晶体管\u003e
晶体管,电阻器
对于开关应用
硅NPN外延型
RT1N141C
RT1N141S
单位
V
V
V
mA
mA
125(※)
+125
-55�½�+125
150
200
+150
-55�½�+150
450
mW
( ※ )包装在9毫米× 19毫米× 1毫米玻璃环氧基板。
电气特性(Ta = 25℃)
符号
(BR)CEO
CBO
�½�
FE
CE(�½��½��½�)
I(ON)
I(OFF)
/R
�½�
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
输入电压
输入过电压
输入阻抗
电阻率
增益带宽积
测试条件
I
C
=100μA,R
BE
=∞
V
CB
=50V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=10mA
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
V
CE
=0.2V,I
C
=5mA
V
CE
=5V,I
C
=100μA
50
50
0.1
1.5
1.1
10
1.0
200
0.3
3.0
13
1.1
极限
典型值
最大
0.1
单位
V
μA
V
V
V
兆赫
0.8
7.0
0.9
V
CE
=6V,I
E
=-10mA
典型特征
在输入电压 - 集电极电流
10
在输入电压Vi (ON )
VCE=0.2V
正向直流电流增益 - 集电极电流
1000
DC Forward Current Gain �½�FE
VCE=5V
1
100
0.1
1
10
Collector Current IC(�½�A)
集电极电流 - 输入电压关
1000
VCE=5V
100
10
1
10
Collector Current IC(�½�A)
100
Collector Current IC (�½�A)
100
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
输入OFF电压Vi (关) (V )
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Jan.2003
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