IPA60R1K5CE [ISC]
Isc N-Channel MOSFET Transistor;
| 型号： | IPA60R1K5CE |
| 厂家： | 
INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED |
| 描述： | Isc N-Channel MOSFET Transistor |
| 文件： | 总2页 (文件大小：260K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
INCHANGE Semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor
IPA60R1K0CE
·FEATURES
·With TO-220F package
·Low input capacitance and gate charge
·Reduced switching and conduction losses
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
VDSS
VGSS
ID
PARAMETER
VALUE
600
UNIT
V
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
±30
V
Drain Current-Continuous @Tc=25℃
6.8
4.3
A
(VGS at 10V)
Tc=100℃
IDM
Drain Current-Single Pulsed
12
26
A
PD
Total Dissipation @TC=25℃
W
℃
℃
Tj
Max. Operating Junction Temperature
Storage Temperature
150
-55~150
Tstg
·THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX
UNIT
℃/W
℃/W
Rth(ch-c) Channel-to-case thermal resistance
Rth(ch-a) Channel-to-ambient thermal resistance
4.9
80
1
isc website：www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
INCHANGE Semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor
IPA60R1K0CE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
BVDSS
VGS(th)
RDS(on)
IGSS
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
600
2.5
TYP
860
0.9
MAX
UNIT
V
Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID=0.25mA
Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID=0.13mA
VGS= 10V; ID=1.5A
VGS= ±20V;VDS= 0V
3.5
V
Drain-Source On-Resistance
Gate-Source Leakage Current
Drain-Source Leakage Current
Diode forward voltage
1000
±0.1
mΩ
μA
μA
V
VDS= 600V; VGS= 0V;Tj=25℃
VDS= 600V; VGS= 0V; Tj=150℃
1
100
IDSS
VSDF
ISD=1.9A, VGS = 0 V
2
isc website：www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
相关型号：
IPA60R280C6XKSA1
Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
INFINEON
IPA60R280CFD7
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。
INFINEON
IPA60R280P6
英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计，填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间的空白。
INFINEON
IPA60R360P7S
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。
INFINEON
IPA60R360P7SXKSA1
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FP, 3 PIN
INFINEON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明