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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
2SB1079
描述
高¡
直流电流GAIN-
: h
FE
= 1000 (最小值) @我
C
= -
10A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= -100V (最小值)
.Complement
到类型2SD1559
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
-100
-100
-7
-20
-30
-3
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
P
C
T
j
T
英镑
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CE
(SAT)
-1
V
CE
(SAT)
-2
V
BE
(sat)-1
V
BE
(sat)-2
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
条件
I
C
= -200mA ,R
BE
=
I
C
= -25mA ,R
BE
=
I
C
= -0.1mA ,我
E
= 0
I
E
= -50mA ,我
C
= 0
I
C
= -10A ,我
B
= -20mA
I
C
= -20A ,我
B
= -200mA
I
C
= -10A ,我
B
= -20mA
I
C
= -20A ,我
B
= -200mA
V
CB
= -100V ,我
E
= 0
V
CE
= -80V ,R
BE
=
I
C
= -10A ; V
CE
= -3V
1000
-100
-100
-100
-7
典型值。
2SB1079
最大
单位
V
V
V
V
-2.0
-3.0
-2.5
-3.5
-0.1
-1.0
V
V
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
开启时间
I
C
= -10 A,
I
B1
= -I
B2
= -20毫安;
贮存时间
3.5
0.6
μs
μs
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