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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB1373
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= -160V (最小值)
ùWide
安全工作区
.Complement
到类型2SD2066
应用
·设计
高功率扩增。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
-160
V
-160
V
-5
V
-12
A
-20
A
120
W
2.5
I
CP
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
T
J
结温
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
2SB1373
典型值。
最大
单位
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -8A ;我
B
= -0.8A
B
-2.0
V
基地发射极电压上
I
C
= -8A ; V
CE
= -5V
-1.8
V
μA
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -160V ;我
E
= 0
-50
I
EBO
h
FE-1
发射Cuto FF电流
V
EB
= -3V ;我
C
= 0
I
C
= -20mA ; V
CE
= -5V
20
-50
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
h
FE-3
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
C
OB
输出电容
h
FE-2
分类
Q
60-120
S
80-160
w
P
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
60
I
C
= -8A ; V
CE
= -5V
20
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -5V ; F = 1MHz的
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
200
15
兆赫
400
pF
100-200
ISC的网站: www.iscsemi.cn
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