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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4510
描述
·带
TO- 3PML包
高¡
电压,高速开关
ULOW
集电极饱和电压
应用
切换¡
稳压器
·直流 - 直流
转换器
* SOLID
固态继电器
■一般
目的功率放大器
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值( TC = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
ES
CH
导�½�
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
500
400
10
15
5
单位
V
V
V
A
A
W
发射极开路
开基
集电极开路
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
80
150
-55~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结案件
最大
1.56
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4510
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CBO
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
V
CB
= 450V ;我
E
=0
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
25
500
400
10
0.8
1.2
100
100
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
固电
下降时间
开启时间
贮存时间
IN
ES
CH
导�½�
ON
MIC
E
OR
DUT
65
1.0
2.5
0.5
μs
μs
μs
I
C
=7.5A;R
L
=20Ω
I
B1
= 0.75A ;我
B2
=-1.5A
PW = 20μs的; Duty≤2 %
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4510
固电
IN
ES
CH
导�½�
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4510
固电
IN
ES
CH
导�½�
ON
MIC
E
OR
DUT
4
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