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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
MJ10002
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= 350V (最小)。
高¡
开关速度
应用
专为高电压,高转速,功率开关的
电感电路,其中下降时间是至关重要的。他们是partic-
ularly适合于操作线开关模式的应用程序为:
切换¡
稳压器
·逆变器
·电磁阀
和继电器驱动器
Motor
控制
·偏转
电路
绝对最大额定值(T
a
=25
)
符号
V
CEO ( SUS )
V
CEX ( SUS)的
V
CEV
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流Continunous
集电极电流峰值
基极电流Continunous
基极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
350
400
450
8
10
20
2.5
5.0
150
200
-65~200
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
W
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.17
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
MJ10002
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.25A ;我
B
= 0
I
C
= 5A ;我
B
= 0.25A
I
C
= 5A ;我
B
= 0.25A ,T
C
= 100℃
B
B
350
1.9
2.0
2.9
2.5
2.5
0.25
5.0
5.0
V
V
CE
(sat)-1
集电极 - 发射极饱和电压
V
V
CE
(sat)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
= 1A
I
C
= 5A ;我
B
= 0.25A
I
C
= 5A ;我
B
= 0.25A ,T
C
= 100℃
B
B
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
V
I
CEV
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=450V;V
BE (
关闭
)
=1.5V
V
CE
=450V;V
BE (
关闭
)
=1.5V;T
C
=150℃
V
CE
= 450V ; ř
BE
= 50Ω; T
C
= 100℃
mA
I
CER
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 8V ;我
C
= 0
175
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 2.5A ,V
CE
= 5V
40
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 5A ,V
CE
= 5V
30
V
ECF
C- ê二极管正向电压
I
F
= 5A
5.0
V
C
OB
输出电容
I
E
= 0, V
CB
= 50V ; ˚F
TEST
=为0.1MHz
60
275
pF
开关时间;阻性负载
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
0.05
0.25
1.2
0.6
0.2
0.6
3.0
1.5
μs
μs
μs
μs
V
CC
= 250V ;我
C
= 5A ;我
B1
= 0.25A
V
BE (
关闭
)
= 5V
t
p
=为50μs ,占空比Cycle≤2 %
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