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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
TIP36D
描述
ΔDC
目前GAIN-
: h
FE
= 25 (分钟) @I
C
= -1.5A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= -120V (最小值)
.Complement
到类型TIP35D
- 电流
增益带宽产品展示
: f
T
= 3.0MHz(Min)@I
C
= -1.0A
应用
·设计
用于一般用途的功率放大器使用和
开关应用。
绝对最大额定值(T
a
=25℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极电流峰值
基极电流
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
-160
单位
V
-120
-5
V
V
-25
A
-40
-5
125
150
-65~150
A
A
W
P
C
T
j
T
英镑
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO ( SUS )
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
BE
(on)-1
V
BE
(on)-2
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
I
C
= -15A ;我
B
= -3A
I
C
= -25A ;我
B
= -6.25A
I
C
= -15A ; V
CE
= -4V
I
C
= -25A ; V
CE
= -4V
V
CE
= -90V ;我
B
= 0
B
TIP36D
-120
最大
单位
V
-2.5
-5.0
-2.0
-4.0
-1.0
-0.7
-1.0
V
V
V
V
mA
mA
mA
电流增益带宽积
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
CE
= -160V; V
BE
= 0
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -1.5A ; V
CE
= -4V
I
C
= -15A ; V
CE
= -4V
25
8
I
C
= -1A ; V
CE
= -10V ; ˚F
TEST
= 1.0MHz的
3
I
C
= -15A ;我
B1
= -I
B2
= -1.5A;
V
BE (
关闭
)
= -4.15V ; ř
L
= 2Ω
兆赫
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
1.2
0.9
μs
μs
ISC的网站: www.iscsemi.cn
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