IS43TR16640AL-125JBLI
更新时间：2024-09-18 15:00:53
品牌：ISSI
描述：DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TWBGA-96
概述
规格参数
数据手册
替代型号IS43TR16640AL-125JBLI 概述
DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TWBGA-96 存储芯片 DRAM
IS43TR16640AL-125JBLI 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TFBGA, | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.32 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B96 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 96 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 组织： | 64MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.283 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.35 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 9 mm | Base Number Matches： | 1 |
IS43TR16640AL-125JBLI 数据手册
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引脚图
封装焊盘图
IS43TR16640AL-125JBLI 替代型号
| 型号 | 制造商 | 描述 | 替代类型 | 文档 |
| IS43TR16640AL-125JBL | ISSI | DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TWBGA-96 | 类似代替 |
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