IS45S16400F-6TLA1 [ISSI]

Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54;
IS45S16400F-6TLA1
元器件型号: IS45S16400F-6TLA1
生产厂家: INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC    INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC
描述和应用:

Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

时钟 动态存储器 光电二极管 内存集成电路
PDF文件: 总59页 (文件大小:1255K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:IS45S16400F-6TLA1参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.02
风险等级5.67
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e3
长度22.22 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.003 A
子类别DRAMs
最大压摆率0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度10.16 mm
Base Number Matches1