IS61LV10248-8M [ISSI]

1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM; 1M ×8高速CMOS静态RAM
IS61LV10248-8M
元器件型号: IS61LV10248-8M
生产厂家: INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC    INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC
描述和应用:

1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
1M ×8高速CMOS静态RAM

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型号参数:IS61LV10248-8M参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码BGA
包装说明9 X 11 MM, MINI, BGA-48
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.86
最长访问时间8 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度11 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流3.14 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)3.63 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度9 mm
Base Number Matches1