IS61NLF25618A-7.5TQI [ISSI]

128K x 36 and 256K x 18 4Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM; 128K ×36和256K ×18 4MB,流过(不等待)态总线SRAM
IS61NLF25618A-7.5TQI
元器件型号: IS61NLF25618A-7.5TQI
生产厂家: INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC    INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC
描述和应用:

128K x 36 and 256K x 18 4Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM
128K ×36和256K ×18 4MB,流过(不等待)态总线SRAM

静态存储器
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型号参数:IS61NLF25618A-7.5TQI参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码QFP
包装说明TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.8
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)117 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.14 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1