IS61NLF51218A-6.5TQL [ISSI]

ZBT SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, TQFP-100;
IS61NLF51218A-6.5TQL
元器件型号: IS61NLF51218A-6.5TQL
生产厂家: INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC    INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC
描述和应用:

ZBT SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, TQFP-100

静态存储器
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型号参数:IS61NLF51218A-6.5TQL参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
IHS 制造商INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.49
最长访问时间6.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.045 A
最小待机电流3.14 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度14 mm
Base Number Matches1