IS61NLF51218A-7.5B2 [ISSI]

256K x 36 and 512K x 18 9Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM; 256K ×36和512K ×18 9MB ,流过(不等待)态总线SRAM
IS61NLF51218A-7.5B2
元器件型号: IS61NLF51218A-7.5B2
生产厂家: INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC    INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC
描述和应用:

256K x 36 and 512K x 18 9Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM
256K ×36和512K ×18 9MB ,流过(不等待)态总线SRAM

存储 内存集成电路 静态存储器 时钟
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型号参数:IS61NLF51218A-7.5B2参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Active
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.79
Is SamacsysN
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)117 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.41 mm
最大待机电流0.045 A
最小待机电流3.14 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1