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IS61LV10248
1M ×8高速CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间:
如图8所示, 10纳秒
•高性能,低功耗的CMOS工艺
•多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
•易于扩展的内存使用
CE
OE
选项
CE
掉电
•全静态操作:无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单3.3V电源
??可用的软件包:
- 48球miniBGA (9毫米X 11毫米)
- 36球miniBGA (9毫米X 11毫米)
- 44引脚TSOP ( II型)
•无铅可
ISSI
2006年4月
®
描述
ISSI
IS61LV10248是一个非常高速,低功耗,
1M字由8位CMOS静态RAM 。该IS61LV10248是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术,产生了更高的性能和
低功耗设备。
CE
为高(取消) ,器件处于
待机模式下,在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
该IS61LV10248采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
该IS61LV10248可提供48小球BGA , 36球
微型BGA和44引脚TSOP ( II型)封装。
功能框图
A0-A19
解码器
1M ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
©2006集成芯片解决方案, Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息,产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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版本C
04/13/06
1
IS61LV10248
ISSI
48针Mini- BGA (M ) (9毫米X 11毫米)
1
2
3
4
5
6
®
引脚配置
36微型BGA (B ) (9毫米X 11毫米)
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
I/O4
I/O5
GND
V
DD
I/O6
I/O7
A9
A1
A2
NC
WE
A19
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O0
I/O1
V
DD
GND
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
NC
GND
V
DD
NC
NC
A18
OE
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I/O1
I/O3
I/O4
I/O5
WE
A11
NC
I/O0
I/O2
V
DD
GND
I/O6
I/O7
A19
A18
OE
A10
CE
A11
A17
A16
A12
A15
A13
I/O2
I/O3
A14
引脚说明
A0-A19
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
NC
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
数据输入/输出
动力
无连接
44针TSOP ( II型)
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
VDD
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
VDD
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
A19
NC
NC
2
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IS61LV10248
ISSI
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
®
真值表
模式
未选择
(掉电)
WE
X
输出禁用ħ
H
L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
V
DD
涉及到GND
储存温度
功耗
价值
-0.5到V
DD
+ 0.5
-0.3〜 4.0
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性损坏
到设备。这是一个额定值,设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
3.3V +10%, -5%
3.3V +10%, -5%
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1兆赫,V
DD
= 3.3V.
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3
IS61LV10248
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测试条件
V
DD
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.3
GND
V
IN
V
DD
GND
V
OUT
V
DD
,输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
–1
–5
–1
–5
马克斯。
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
V
V
V
V
µA
µA
®
DC电气特性
(以上经营范围)
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
单位
注意:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
-8
符号参数
I
CC
I
SB
1
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
DD
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
DD
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
V
IH
, f = 0
V
DD
=最大,
CE
V
DD
– 0.2V,
V
IN
V
DD
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。
马克斯。
110
120
30
35
20
25
-10
分钟。马克斯。
100
110
30
35
20
25
单位
mA
mA
I
SB
2
mA
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
4
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单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
®
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
AC测试负载
319
Ω
Z
O
= 50Ω
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
50Ω
1.5V
3.3V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
图2
353
Ω
图1
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