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IS93C66-3
4096位串行电
可擦除PROM
特点
•架构的国家的最先进的
- 非易失性数据存储
•低电压工作：
3.0V （VCC = 2.7V至6.0V ）
- 全TTL兼容的输入和输出
- 自动增量为有效的数据转储
•低电压读取操作
- 低至2.7V
•硬件和软件写保护
- 默认是禁止写入的电状态
- 软件设置为写使能/禁用
•先进的低电压CMOS ê
2
舞会
技术
•多功能，易于使用的界面
- 自定时编程周期
- 自动擦除前写
- 编程状态指示灯
- Word和芯片擦除
- 停止SK随时以节省功耗
•可靠耐用
- 10年的数据保存后， 100K的写周期
- 100,000次写周期
- 无限的读周期
ISSI
概观
®
2001年3月
该IS93C66-3是一个低成本4096位，非易失性，序列
E
2
舞会。它采用ISSI公司先进的CMOS制造
E
2
PROM技术。该IS93C66-3提供高效
非易失性读/写存储器布置为256的寄存器
的每个16比特。七个11位的指令控制所述
的装置，该装置包括读操作，写和
模式使能功能。数据输出引脚（D
OUT
）表示
装置的过程中的状态的自定时的非易失性
编程周期。
自定时写周期包括一个自动使用擦除
之前写的能力。为了防止意外
写入，写入指令只接受而
芯片是在启用了写入状态。数据被写入16位
每次写指令到所选择的寄存器。如果芯片
选（CS ）的写周期开始后拉高，
数据输出（D
OUT
）引脚将指示READY / BUSY
芯片的状态。
应用
该IS93C66-3非常适合大批量应用
需要低功耗和低存储密度。该装置
使用成本低，节省空间的8引脚封装。候选人
应用包括机器人，报警装置，电子
锁，仪表和仪器设置。
功能框图
D
IN
指令
注册
（ 11位）
指令
DECODE ，
控制，
和
时钟
GENERATION
数据
注册
（16比特）
DUMMY
位
读/写
安培
D
OUT
CS
地址
注册
1 256
解码器
EEPROM
ARRAY
(256 X 16)
SK
写
启用
高压
发电机
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 ©版权所有2001年，集成的芯片解决方案，公司
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IS93C66-3
引脚配置
8引脚DIP
ISSI
引脚配置
8引脚JEDEC的小外形“G”
®
引脚配置
8引脚JEDEC的小外形的“GR ”
CS
SK
D
IN
D
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
NC
GND
NC
VCC
CS
SK
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
GND
D
OUT
D
IN
CS
SK
D
IN
D
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
NC
GND
引脚说明
CS
SK
D
IN
D
OUT
NC
VCC
GND
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
没有连接
动力
地
耐力和数据保留
该IS93C66-3是专为需要高达的应用
100,000个编程周期（ WRITE ， WRALL ， ERASE
艾莱依） 。它提供10年安全数据保留，
没有10万的编程执行后电源
周期。
L
流电压读
该IS93C66-3已被设计来确保数据
读操作是可靠的低压环境。
该IS93C66-3是保证提供准确的数据
在与Vcc的读取操作可低至2.7V 。
自动递增读操作
中的存储器传输操作应用的兴趣，
该IS93C66-3已被设计为输出一连续
的存储器内容以响应一个读操作流
操作指令。利用这一功能时，系统
断言的读出指令指定的开始位置
地址。一旦被寻址的字的16位具有
已同步输出，在数据连续较高地址
位置（地址为“ 000000”被假定为AD-
的“ 111111"礼服）被输出。该地址将环绕
连续在CS为高电平，直到片选（ CS ）
控制引脚变为低电平。这允许对单个指令
数据转储到一个最小的固件来执行
开销。
设备操作
该IS93C66-3由7 11位指令来控制。
说明在D移入（串行）
IN
引脚。每
指令用一个逻辑“1” （开始位）开始。这是
其次是操作码（2位） ，地址字段（8位） ，
和数据，如果适当的话。该时钟信号（SK）可以是
停止在任何时间和IS93C66-3将保持在其最后的
状态。这使得完全静态的灵活性和最大的
节能。
读（ READ ）
READ指令是输出的唯一指令
在D的串行数据
OUT
引脚。读出指令之后和
地址已被解码时，数据被从转
选中的存储寄存器为16位串行移位寄存器。
（请注意，一个逻辑“0”位之前的实际
16位输出数据串。 ）在D上的输出
OUT
变化
在SK的低到高的跳变（见图3） 。
写使能（ WEN
)
写使能（ WEN ）指令必须执行
任何器件编程之前（ WRITE ， WRALL ，擦除，
艾莱依）可以做到的。当VCC应用，该器件
权力在写禁用状态。然后设备
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IS93C66-3
仍处于写禁止状态，直到闻指令
被执行。此后，该装置保持启用状态，直到
一个WDS指令被执行，或者直到Vcc的被删除。
（注：无论是文还是WDS指令有任何
在READ指令影响。） （参见图4 ）
ISSI
W
RITE禁止（ WDS ）
®
与WRITE指令，如果CS后拉高
250 ns的最短等待（T
CS
） ，则D
OUT
引脚指示
芯片就绪/忙状态（参见图6）。
写（ WRITE）
WRITE指令包括数据为16位
写入指定的寄存器中。经过最后一个数据位
已经施加到D
IN
和之前的下一个上升沿
SK ， CS必须被拉低。 CS的下降沿
启动自定时编程周期。
之后从250纳秒（ 5V操作）最小的等待
CS下降沿边缘（T
CS
） ，如果CS变为高电平，D
OUT
将
显示芯片的READY / BUSY状态：逻辑“0”
是指编程仍在进行中;逻辑“1 ”的意思
所选择的寄存器已被写入，且部分是
准备其它的指令（参见图5） 。 （注：
CS高，D的组合
IN
HIGH和上升沿
SK时钟，复位READY / BUSY标志。因此，它
如果您要访问的READY / BUSY标志是很重要的
不通过控制信号的这种组合，其重置。 ）
之前写指令可以被执行，该装置
必须写使能（见文） 。
写禁止（ WDS ）指令禁止所有
编程能力。这保护了整个零件
防止数据的意外修改，直到文
指令被执行。 （当VCC应用，这部分
权力在写禁用状态。 ）来保护数据，一
WDS指令应完成后执行
每一个编程操作。 （注：无论是文
也不WDS的指令对读任何影响
指令。 ）（参见图7 ）
清除寄存器（ ERASE ）
擦除指令输入后， CS必须带
低。 CS的下降沿启动自定时
内部编程周期。之后，将CS HIGH
最小的t
CS
，会造成ð
OUT
以指示读/忙
芯片的状态：一个逻辑“0”表示编程
仍在进行中;一个逻辑“1”表示在擦除周期是
完成的部分是准备执行下一条指令（参见
图8）。
写入所有（ WRALL ）
写所有（ WRALL ）指令程序的所有寄存器
与指令中所指定的数据模式。而
正在加载WRALL指令时，地址字段
成为“无关”位（参见图6）的序列。
清除所有（ ERAL ）
整片擦除提供了易于编程。
擦除整个芯片包括设置在整个所有的位
存储器阵列以逻辑“1 ”（见图9）。
指令集
指令
读
文
（写使能）
写
WRALL
（写所有寄存器）
WDS
（写禁止）
抹去
ERAL
（清除所有寄存器）
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
01
00
00
11
00
地址
(A7-A0)
11XXXXXX
(A7-A0)
01XXXXXX
00XXXXXX
(A7-A0)
10XXXXXX
D15-D0
(1)
D15-D0
(1)
输入数据
注意：
1.如果输入数据不是16位准确地，最后的16位将作为输入数据（一个字） 。
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IS93C66-3
绝对最大额定值
(1)
符号
V
GND
T
BIAS
T
BIAS
T
英镑
参数
电压相对于GND
高温下偏置（ IS93C46-3 ）
高温下偏置（ IS93C46-3I ）
储存温度
价值
-0.3 +6.5 TP
0至+70
-40至+85
-65到+125
单位
V
°C
°C
°C
ISSI
®
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V至6.0V
2.7V至6.0V
电容
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
5
单位
pF
pF
图1. AC测试条件
+2.08V
800Ω
D
OUT
100 pF的
VCC = 5.0V
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IS93C66-3
DC电气特性
T
A
= 0 ° C至+ 70°C的IS93C66-3和-40 ° C至+ 85°C的IS93C66-3I 。
符号
V
OL
V
OL1
V
OH
V
OH1
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出低电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
V
IN
= 0V至V
CC
（ CS ， SK ，D
IN
)
V
OUT
= 0V至V
CC
， CS = 0V
测试条件
I
OL
= 10 μA CMOS
I
OL
= 2.1毫安TTL
I
OH
= -10 μA CMOS
I
OH
= -400 μA TTL
VCC
2.7V至3.3V
4.5V至5.5V
2.7V至3.3V
4.5V至5.5V
2.7V至3.3V
4.5V至5.5V
2.7V至3.3V
4.5V至5.5V
分钟。
—
—
V
CC
– 0.2
2.4
2.4
2
–0.1
–0.1
1
1
ISSI
马克斯。
0.2
0.4
—
—
V
CC
V
CC
0.6
0.8
1
1
V
V
V
V
V
V
µA
µA
®
单位
电源特性
T
A
= 0 ° C至+ 70°C的IS93C66-3和-40 ° C至+ 85°C的IS93C66-3I 。
IS93C66-3
分钟。典型值。马克斯。
—
—
—
—
0.5
4
2
10
2
6
10
50
IS93C66-3I
分钟。典型值。马克斯。
—
—
—
—
0.5
4
2
10
2
6
10
50
符号
I
CC
I
CC
I
SB
参数
Vcc操作
电源电流
Vcc操作
电源电流
待机电流
测试条件
CS = V
IH
， SK = 1兆赫
CMOS输入电平
CS = V
IH
， SK = 1兆赫
CMOS输入电平
CS = D
IN
= SK = 0V
VCC
2.7V至3.3V
4.5V至5.5V
2.7V至3.3V
4.5V至5.5V
单位
mA
mA
µA
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启摹
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