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IXFN55N50F

更新时间：2024-09-18 02:20:59
品牌：IXYS
描述：HiPerRF Power MOSFETs

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PCB计价

IXFN55N50F 概述

HiPerRF Power MOSFETs HiPerRF功率MOSFET 功率场效应晶体管

IXFN55N50F 规格参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：8.35其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：55 A最大漏源导通电阻：0.085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Nickel (Ni)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXFN55N50F 数据手册

通过下载IXFN55N50F数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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Advance Technical Information  
HiPerRFTM  
IXFN 55N50F  
VDSS = 500 V  
ID25  
RDS(on)  
=
=
55 A  
85 mΩ  
Power MOSFETs  
F-Class: MegaHertz Switching  
D
N-Channel Enhancement Mode  
t ≤ 250 ns  
rr  
Avalanche Rated, Low Q Low Intrinsic R  
G
g,  
g
High dV/dt, Low t  
rr  
S
S
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
miniBLOC,SOT-227B  
E153432  
VDSS  
VDGR  
T
T
= 25°C to 150°C  
500  
500  
V
V
J
J
S
= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ  
GS  
G
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±3  
V
VGSM  
0
V
S
ID25  
T
= 25°C  
55  
A
C
D
IDM  
IAR  
T
= 25°C, pulse width limited by T  
= 25°C  
220  
55  
A
A
C
JM  
T
C
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
EAR  
T
= 25°C  
60  
3
mJ  
C
EAS  
T
= 25°C  
.0  
J
C
Either Source terminal at miniBLOC can be used  
as Main or Kelvin Source  
dv/dt  
I
≤ I , di/dt ≤ 100 A/µs, V ≤ V  
,
5
V/ns  
W
S
DM  
DD  
DSS  
T
≤ 150°C, R = 2 Ω  
J
G
PD  
T
= 25°C  
600  
C
Features  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
l
RF capable Mosfets  
Ruggedpolysilicongatecellstructure  
TJM  
Tstg  
l
-55 ... +150  
l
Double metal process for low gate  
resistance  
UnclampedInductiveSwitching(UIS)  
rated  
TJ  
1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s  
-
°C  
l
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
≤ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
I
l
ISOL  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Fast intrinsicrectifier  
Md  
Mountingtorque  
Terminalconnectiontorque  
1.5/13Nm/lb.in.  
1.5/13Nm/lb.in.  
l
Weight  
3
0
g
Applications  
l
DC-DC converters  
l
Switched-modeandresonant-mode  
power supplies, >500kHz switching  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
l
(T = 25°C, unless otherwise specified)  
DC choppers  
J
l
min. typ. max.  
Pulsegeneration  
l
Laserdrivers  
VDSS  
V
V
= 0 V, I = 1 mA  
500  
3.0  
V
V
GS  
DS  
D
VGH(th)  
= V , I = 8 mA  
5.5  
GS  
D
Advantages  
l
Easy to mount  
IGSS  
IDSS  
V
= ±20 V , V = 0  
±200 nA  
GS  
DC  
DS  
l
Space savings  
V
V
= V  
T = 25°C  
100 µA  
3
l
DS  
GS  
DSS  
J
High power density  
= 0 V  
= 10 V, I = 0.5 I  
D25  
T = 125°C  
mA  
J
RDS(on)  
V
GS  
D
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
85 mΩ  
© 2001 IXYS All rights reserved  
98854 (8/01)  
IXFN 55N50F  
Symbol  
gfs  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
miniBLOC, SOT-227 B  
min.  
typ. max.  
VDS = 10 V; ID = 0.5 • ID25, pulse test  
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz  
22  
33  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
6700  
1250  
330  
pF  
pF  
pF  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
24  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS = 10 V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 0.5 • ID25  
M4 screws (4x) supplied  
RG = 1 Ω (External),  
45  
Dim.  
Millimeter  
Inches  
Min.  
Min.  
Max.  
Max.  
9.6  
A
B
31.50  
7.80  
31.88  
8.20  
1.240  
0.307  
1.255  
0.323  
Qg(on)  
Qgs  
195  
50  
nC  
nC  
nC  
C
D
4.09  
4.09  
4.29  
4.29  
0.161  
0.161  
0.169  
0.169  
VGS = 10 V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 0.5 • ID25  
E
F
4.09  
4.29  
0.161  
0.587  
0.169  
0.595  
14.91  
15.11  
Qgd  
95  
G30.12  
30.30  
1.186  
1.193  
H
38.00  
38.23  
1.496  
1.505  
RthJC  
RthCK  
0.21 K/W  
K/W  
J
11.68  
8.92  
12.22  
9.60  
0.460  
0.351  
0.481  
0.378  
K
0.05  
L
0.76  
0.84  
0.030  
0.496  
0.033  
0.506  
M
12.60  
12.85  
N
O
25.15  
1.98  
25.42  
2.13  
0.990  
0.078  
1.001  
0.084  
P
4.95  
5.97  
0.195  
1.045  
0.235  
1.059  
Q
26.54  
26.90  
R
S
3.94  
4.72  
4.42  
4.85  
0.155  
0.186  
0.174  
0.191  
T
24.59  
-0.05  
25.07  
0.1  
0.968  
0.987  
0.004  
U
-0.002  
Source-DrainDiode  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Symbol  
IS  
TestConditions  
VGS = 0 V  
55  
220  
1.5  
A
A
V
ISM  
Repetitive;  
pulse width limited by TJM  
VSD  
IF = IS, VGS = 0 V,  
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
trr  
IF = 50A, -di/dt = 100 A/µs, VR = 100 V  
250 ns  
QRM  
IRM  
1.6  
13  
µC  
A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents: 4,835,592 4,881,106  
4,850,072 4,931,844  
5,017,508  
5,034,796  
5,049,961 5,187,117 5,486,715  
5,063,307 5,237,481 5,381,025  

IXFN55N50F 替代型号

型号 制造商 描述 替代类型 文档
IXFN80N50 IXYS HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET 类似代替
IXFN48N50 IXYS HiPerFET Power MOSFETs 类似代替
IXFN80N50Q3 IXYS HiperFET Power MOSFET Q3-Class 类似代替

IXFN55N50F 相关器件

型号 制造商 描述 价格 文档
IXFN56N90P IXYS Polar Power MOSFET HiPerFET 获取价格
IXFN56N90P LITTELFUSE 功能与特色: 优点: 应用: 获取价格
IXFN56N90P_11 IXYS Polar HiPerFET Power MOSFET 获取价格
IXFN58N50 IXYS High Current Power MOSFET 获取价格
IXFN60N60 IXYS HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET 获取价格
IXFN60N60 LITTELFUSE 功能与特色: 应用: 优点: 获取价格
IXFN60N80P IXYS PolarHV HiPerFET Power MOSFET 获取价格
IXFN60N80P LITTELFUSE 功能与特色: 优点: 应用: 获取价格
IXFN61N50 IXYS High Current Power MOSFET 获取价格
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