IXSH35N100
更新时间：2024-09-18 18:34:35
品牌：IXYS
描述：Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
概述
规格参数
数据手册IXSH35N100 概述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel IGBT
IXSH35N100 规格参数
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.87 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 35 A | 集电极-发射极最大电压： | 1000 V |
| 最大降落时间（tf）： | 400 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 7 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
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