IXTM6N80A [IXYS]

N-Channel Enhancement Mode; N沟道增强模式
IXTM6N80A
元器件型号: IXTM6N80A
生产厂家: IXYS CORPORATION    IXYS CORPORATION
描述和应用:

N-Channel Enhancement Mode
N沟道增强模式

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
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型号参数:IXTM6N80A参数
是否无铅 不含铅
生命周期Transferred
零件包装代码TO-3
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.38
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻1.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值180 W
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)24 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1