元器件型号: | IXTM6N80A |
生产厂家: | IXYS CORPORATION |
描述和应用: | N-Channel Enhancement Mode |
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型号参数:IXTM6N80A参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
生命周期 | Transferred |
零件包装代码 | TO-3 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.38 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A |
最大漏极电流 (ID) | 6 A |
最大漏源导通电阻 | 1.4 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-204AA |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 180 W |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 24 A |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
N-Channel Enhancement Mode
N沟道增强模式