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VUO22-16NO1

更新时间：2024-09-18 01:40:26
品牌：IXYS
描述：Three Phase Rectifier Bridge

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PCB计价

VUO22-16NO1 概述

Three Phase Rectifier Bridge 三相整流桥 二极管 桥式整流二极管

VUO22-16NO1 规格参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PUFM-X7
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.74Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PUFM-X7
JESD-609代码：e4最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：6相数：3
端子数量：7最高工作温度：130 °C
最大输出电流：22 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1600 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VUO22-16NO1 数据手册

通过下载VUO22-16NO1数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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VUO 22  
IdAVM = 25 A  
VRRM = 800-1800 V  
Three Phase  
Rectifier Bridge  
5
4
1/2  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
2
1
10  
8
6
900  
1300  
1500  
1700  
1900  
800  
1200  
1400  
1600  
1800  
VUO 22-08NO1  
VUO 22-12NO1  
VUO 22-14NO1  
VUO 22-16NO1  
VUO 22-18NO1  
10  
8
4/5  
6
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
●
Package with DCB ceramic base plate  
Isolation voltage 3600 V~  
Planar passivated chips  
Blocking voltage up to 1800 V  
Low forward voltage drop  
Leads suitable for PC board soldering  
UL registered E72873  
IdAV  
IdAV  
IdAVM  
TK = 90°C, module  
TA = 45°C (RthKA = 0.5 K/W), module  
module  
22  
25  
25  
A
A
A
●
●
●
●
●
●
IFSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
100  
106  
A
A
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
85  
90  
A
A
Applications  
Supplies for DC power equipment  
Input rectifiers for PWM inverter  
Battery DC power supplies  
●
I2t  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
50  
47  
A2s  
A2s  
●
●
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
36  
33  
A2s  
A2s  
●
Field supply for DC motors  
Advantages  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+130  
130  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
●
Easy to mount with two screws  
Space and weight savings  
●
●
Improved temperature and power  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 min  
t = 1 s  
3000  
3600  
V~  
V~  
cycling  
IISOL £ 1 mA  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
Md  
Mounting torque  
(M5)  
(10-32UNF)  
2 - 2.5  
18-22  
Nm  
lb.in.  
Weight  
typ.  
35  
g
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
TVJ = 25°C  
TVJ = TVJM  
£
£
0.3 mA  
5
1.12  
0.8  
mA  
VF  
IF = 7 A;  
TVJ = 25°C  
£
V
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
V
40 mW  
RthJH  
per diode, 120° rect.  
per module, 120° rect.  
3.1 K/W  
0.516 K/W  
dS  
dA  
a
Creeping distance on surface  
Creepage distance in air  
Max. allowable acceleration  
12.7 mm  
9.4 mm  
50 m/s2  
Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
VUO 22  
30  
A
100  
A
100  
A2s  
50 Hz  
0.8 x VRRM  
IFSM  
IF  
25  
20  
15  
10  
5
d
I2 t  
80  
60  
40  
20  
0
T
VJ = 25°C  
TVJ = 130°C  
TVJ = 45°C  
TVJ = 45°C  
max.  
typ.  
TVJ = 130°C  
TVJ = 130°C  
0
0.0  
10  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
V
2.5  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
1
ms  
t
10  
s
t
VF  
Fig. 1 Forward current versus voltage  
drop per diode  
Fig. 2 Surge overload current per diode  
IFSM: Crest value. t:duration  
Fig. 3 I2t versus time (1-10 ms)  
per diode  
100  
Ptot  
30  
A
RthKA K/W  
IdAVM  
W
0.5  
1
1.5  
2
3
4
25  
20  
15  
10  
5
80  
60  
40  
20  
0
6
0
0
5
10  
15  
20  
25  
0
25  
50  
75  
100  
125 °C 150  
TA  
0
25  
50  
75  
100 125 °C150  
TK  
A
IdAVM  
Fig. 4 Power dissipation versus direct output current and ambient temperature  
Fig. 5 Maximum forward current at  
heatsink temperature TK  
3.5  
K/W  
ZthJK  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
ZthJK  
Constants for ZthJK calculation:  
i
Rth (K/W)  
ti (s)  
1
2
3
4
0.015  
0.1  
1.635  
1.35  
0.008  
0.02  
0.05  
0.4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
s
t
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to heatsink per diode  
© 2000 IXYS All rights reserved  
2 - 2  

VUO22-16NO1 替代型号

型号 制造商 描述 替代类型 文档
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VUO22-16NO1 相关器件

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VUO25-08NO8 IXYS Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 25A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, MODULE-5 获取价格
VUO25-08NO8 LITTELFUSE 三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。 获取价格
VUO25-12NO7 IXYS Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 25A, 1200V V(RRM), Silicon 获取价格
VUO25-12NO8 IXYS Three Phase Rectifier Bridge 获取价格
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VUO25-14NO7 IXYS Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 25A, 1400V V(RRM), Silicon 获取价格
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