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ML9SM31-02-29  ML9SM31-02-23  M93C46-RDS3P/W  M93C46-DS3P/S  M93C76-RDS3P/S  M93C76-DS3P/W  M93C66-DS3P/W  ML9SM31-02-24  ML9SM31-02-30  ML9SM31-02-19  
CS29-12IO1C 相位控制晶闸管 (Phase Control Thyristor)
.型号:   CS29-12IO1C
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描述: 相位控制晶闸管
Phase Control Thyristor
文件大小 :   58 K    
页数 : 2 页
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品牌   IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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100%
高级技术信息
CS 29
= 800 - 1200 V
= 35 A
= 23 A
相位控制晶闸管
ISOPLUS220
TM
电气隔离返回地面
V
RSM
V
帝斯曼
V
800
1200
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
CS 29-08io1C
CS 29-12io1C
TYPE
A
C
V
RRM
I
T( RMS )
I
T( AV )M
ISOPLUS220
TM
1
2
G
3
孤立的背面*
*专利申请中
符号
I
T( RMS )
I
T( AV )M
I
TSM
测试条件
T
VJ
= T
VJM
T
C
= 95 ℃; 180 °正弦波(我
T( RMS )
电流限制)
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
最大额定值
35
23
200
215
175
185
200
195
155
145
150
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / μs的
l
l
特点
特点
l
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
l
l
l
( di / dt的)
cr
T
VJ
= T
VJM
重复的,我
T
= 40 A
F = 50 Hz时,T
P
=200
µs
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.2 A
非重复性的,我
T
= I
T( AV )M
di
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T
VJ
= T
VJM
;
V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
∞;
方法1 (线性电压升高)
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
T( AV )M
t
P
= 30
µs
t
P
= 300
µs
对直接铜键合硅片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
低阴极与标签电容( 15pF的
典型)
平面钝化芯片
环氧符合UL 94V- 0
高性能玻璃
钝化芯片
泄漏的长期稳定性
电流和阻断电压
500
1000
5
2.5
0.5
10
-40...+150
150
-40...+150
A / μs的
V / μs的
W
W
W
V
°C
°C
°C
V~
°C
N /磅
g
应用
l
l
l
l
l
( dv / dt的)
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
T
L
F
C
重量
电机控制
电源转换器
AC电源控制器
光照和温度控制
SCR的浪涌电流限制
在电源或AC驱动器
优势
l
l
50/60赫兹RMS ;我
ISOL
1毫安
1.6毫米的情况; 10秒
安装力
2500
260
11...65 / 2.4...11
2
空间和减轻重量
安装简单
看到CS 29..io1数据手册的电气特性曲线。
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