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1N4738A  1N4739A  1N4739A  1N4739A  1N4738A  1N4739A  1N4738A  1N4738A  1N4739AG  1N4738A  
IXFH10N90 HiPerFET功率MOSFET (HiPerFET Power MOSFETs)
.型号:   IXFH10N90
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描述: HiPerFET功率MOSFET
HiPerFET Power MOSFETs
文件大小 :   88 K    
页数 : 4 页
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品牌   IXYS [ IXYS CORPORATION ]
购买 :   
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100%
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ,低吨
rr
, HDMOS
TM
家庭
V
DSS
IXFH / IXFM 10 N90
IXFH / IXFM 12 N90
IXFH13 N90
900 V
900 V
900 V
I
D25
10 A
12 A
13 A
R
DS ( ON)
1.1
W
0.9
W
0.8
W
t
rr
£
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C,
脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
10N90
12N90
13N90
10N90
12N90
13N90
10N90
12N90
13N90
最大额定值
900
900
±20
±30
10
12
13
40
48
13
10
12
13
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 ( IXFH )
( TAB )
TO- 204 AA ( IXFM )
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
符号
T
C
= 25°C
I
S
£
I
DM
, di / dt的
£
100 A / MS ,V
DD
£
V
DSS
,
T
J
£
150℃ ,R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
D
G =门,
S =源,
D =排水,
TAB =漏
G
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
安装力矩
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克, TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
l
l
l
l
l
l
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
900
2.0
V
V
nA
mA
mA
W
W
W
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 • I
D25
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
4.5
±100
25
1
1.1
0.9
0.8
应用
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流电动机的控制
温度和照明控制
低电压继电器
l
l
l
l
l
l
l
l
10N90
12N90
13N90
脉冲测试,T
£
300
女士,
占空比ð
£
2 %
优势
易与1螺钉安装( TO- 247 )
(隔绝安装螺纹孔)
节省空间
高功率密度
l
l
l
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
91530G (3/98)
版权所有©2000 IXYS所有权利。
1-4
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