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CRA04S080310R0ZPZE3  CRA04S0403473GRT7E3  CRA06P0403100JRT6E3  CRA04S08034702FRT7E3  CRA06P0403000JRT1E3  CRA04S0803100ZRT6E3  CRA04S0803100FPZE3  CRA04S0803100JRT6E3  CRA04S0803473FRT6E3  CRA06E  
IXFK180N25T GigaMOS功率MOSFET (GigaMOS Power MOSFET)
.型号:   IXFK180N25T
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描述: GigaMOS功率MOSFET
GigaMOS Power MOSFET
文件大小 :   138 K    
页数 : 5 页
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品牌   IXYS [ IXYS CORPORATION ]
购买 :   
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100%
高级技术信息
GigaMOS
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFK180N25T
IXFX180N25T
R
DS ( ON)
t
rr
TO- 264 ( IXFK )
V
DSS
I
D25
=
=
250V
180A
12.9mΩ
200ns
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
L( rms)的
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
250
250
±
20
±
30
180
160
500
40
3
20
1390
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
G =门
S =源
( TAB )
D
=漏
TAB =漏
G
D
S
( TAB )
PLUS247 ( IXFX )
特点
国际标准封装
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS ( ON)
优势
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩( TO- 264 )
安装力
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
250
2.5
5.0
±
200
V
V
nA
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
50
µA
3毫安
12.9 mΩ
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DS100129(03/09)
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