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高级技术信息
GigaMOS
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFK180N25T
IXFX180N25T
R
DS ( ON)
t
rr
TO- 264 ( IXFK )
V
DSS
I
D25
=
=
250V
180A
12.9mΩ
200ns
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
L( rms)的
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
250
250
±
20
±
30
180
160
500
40
3
20
1390
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
G =门
S =源
( TAB )
D
=漏
TAB =漏
G
D
S
( TAB )
PLUS247 ( IXFX )
特点
国际标准封装
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS ( ON)
优势
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩( TO- 264 )
安装力
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
250
2.5
5.0
±
200
V
V
nA
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
50
µA
3毫安
12.9 mΩ
©2009 IXYS公司,版权所有
DS100129(03/09)
IXFK180N25T
IXFX180N25T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.15
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 • I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 15V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 • I
D25
R
G
= 1Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
100
160
28
2050
158
37
33
100
28
345
122
70
0.09
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
TO- 264 ( IXFK )大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 60A ,V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 90A , -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 75V, V
GS
= 0V
0.77
11
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
180
720
1.3
200
A
A
V
ns
µC
A
PLUS 247
TM
( IXFX )大纲
注1 :
脉冲测试,T
300μS ;占空比D
2%.
端子: 1 - 门
2 - 漏极(集电极)
3 - 源(发射极)
4 - 漏极(集电极)
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价,基于先前的知识和经验,并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利,测试
条件和尺寸,恕不另行通知。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFK180N25T
IXFX180N25T
图。 1.输出特性
@ 25ºC
180
160
140
250
7V
V
GS
= 10V
8V
7V
350
300
V
GS
= 10V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25ºC
I
D
- 安培
120
I
D
- 安培
100
80
60
6V
200
150
6V
100
40
20
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
5V
50
5V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125ºC
180
160
140
V
GS
= 10V
7V
2.8
2.6
2.4
6V
图。 4. ř
DS ( ON)
归到我
D
= 90A价值
- 结温
V
GS
= 10V
I
D
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
R
DS ( ON)
- 归
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I
D
= 90A
I
D
= 180A
5V
3.2
3.6
4.0
4.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5. ř
DS ( ON)
归到我
D
= 90A价值
与漏电流
2.8
2.6
2.4
V
GS
= 10V
T
J
= 125ºC
180
160
140
120
图。 6,最大漏极电流与
外壳温度
外部引线电流限制
R
DS ( ON)
- 归
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
50
100
150
200
250
I
D
- 安培
T
J
= 25ºC
300
350
100
80
60
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
©2009 IXYS公司,版权所有
IXFK180N25T
IXFX180N25T
图。 7.输入导纳
200
180
240
160
T
J
= 125ºC
25ºC
- 40ºC
200
280
T
J
= - 40ºC
图。 8.跨导
120
100
80
60
40
g
F小号
- 西门子
140
25ºC
I
D
- 安培
160
125ºC
120
80
40
20
0
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
5.8
6.2
6.6
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
350
300
8
250
7
10
9
V
DS
= 125V
I
D
= 90A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125ºC
T
J
= 25ºC
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
200
150
100
50
6
5
4
3
2
1
0
0
0
50
100
150
200
250
300
350
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
西塞
R
DS (
on
)
极限
25µs
电容 - 皮法
10,000
科斯
I
D
- 安培
100
100µs
1,000
10
1ms
T
J
= 150ºC
CRSS
T
C
= 25ºC
单脉冲
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
100
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF : F_180N25T ( 9E ) 09年3月23日
IXFK180N25T
IXFX180N25T
图。 13.最大瞬态热阻抗
0.100
Z
(日) JC
- C / W
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
©2009 IXYS公司,版权所有
IXYS REF : F_180N25T ( 9E ) 09年3月23日
相关元器件产品Datasheet PDF文档

IXFK185N10

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA
33 icpdf_datashe

IXFK200N10P

Polar HiPerFET Power MOSFET
暂无信息
54 IXYS

IXFK20N120

HiPerFET Power MOSFETs
暂无信息
40 IXYS

IXFK20N80Q

HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
暂无信息
36 IXYS

IXFK20N80Q

HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
暂无信息
24 IXYS