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MMBT1616A-X-AE3-R  MRLM101A-X-RHREV1B2  S29PL129N65GAWW00  2SB649A-X-T60-K  UVK1A103MPD  S29PL256N65GAWW00  2SD965A-X-T92-B  2SD669A-X-T9N-K  UVK1A103MDD  2SD669A-X-T92-K  
IXFK20N80Q HiPerFETTM功率MOSFET Q系列 (HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class)
.型号:   IXFK20N80Q
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描述: HiPerFETTM功率MOSFET Q系列
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
文件大小 :   75 K    
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品牌   IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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100%
IXFH20N80Q IXFK20N80Q
IXFT20N80Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
11
19
5100
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
500
170
28
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 • I
D25
R
G
= 1.5
W
(外部)
27
74
14
150
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 • V
DSS
, I
D
= 0.5 • I
D25
34
80
0.35
TO-247
TO-264
0.25
0.15
200
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 ( IXFH )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 • I
D25
,脉冲测试
1.5 2.49
TO- 264 AA ( IXFK )大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
£
300
女士,
占空比ð
£
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ,V
R
= 100 V
1
9
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
20
80
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
TO- 268AA ( IXFT ) (D
3
PAK )
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有©2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
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