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描述:
HD74HC114  
IXFR12N100Q N沟道增强模式额定雪崩,高dv / dt低栅极电荷和电容 (N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances)
.型号:   IXFR12N100Q
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描述: N沟道增强模式额定雪崩,高dv / dt低栅极电荷和电容
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
文件大小 :   36 K    
页数 : 2 页
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品牌   IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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100%
先进的技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
IXFR 12N100Q
ISOPLUS247
TM
Q类
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
1.05
W
1.20
W
1000 V 10 A
IXFR 10N100Q 1000 V
9A
(电隔离背面)
t
rr
£
200纳秒
N沟道增强模式
额定雪崩,高dv / dt
低栅极电荷和电容
符号
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
£
I
DM
, di / dt的
£
100 A / MS ,V
DD
£
V
DSS
T
J
£
150℃ ,R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
12N100
10N100
12N100
10N100
12N100
10N100
最大额定值
1000
1000
±20
±30
10
9
48
40
12
10
30
5
250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
从案例10秒1.6毫米( 0.063英寸)
50/60赫兹, RMS
T = 1分
300
2500
5
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
g
特点
ISOPLUS 247
TM
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
重量
G
D
孤立的背面*
D =漏
G =门
S =源
*专利申请中
•对直接铜键合硅芯片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
•低漏片电容( <50pF )
•低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
•坚固的多晶硅栅单元结构
•非钳位感应开关( UIS)
评级
•快速内在整流器
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1000
2.5
5.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
12N100
10N100
50
1
1.05
1.2
V
V
nA
mA
mA
W
W
优势
•易于组装
•节省空间
•高功率密度
• DC-DC变换器
•电池充电器
•开关模式和谐振模式
电源
•直流斩波器
•AC电机控制
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 • V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= I
T
注1 & 2
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
98589 (1/99)
版权所有©2000 IXYS所有权利。
1-2
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