电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
EC2010ARTS-24.000M  EC2010ATTS-24000M-G  EC2010CRTS-24.000M-CL  MIC2562A-1YM  EC2010BTTS-24.000M  EC2010ARTS-24.000M-CL  EC2010ARTS-24000M  EC2010ATS-24.000M-G  EC2010BRTTS-24000M  EC2010BTS-24000M-G  
IXFT20N80Q HiPerFETTM功率MOSFET Q系列 (HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class)
.型号:   IXFT20N80Q
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: HiPerFETTM功率MOSFET Q系列
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
文件大小 :   75 K    
页数 : 2 页
Logo:   
品牌   IXYS [ IXYS CORPORATION ]
购买 :   
  浏览型号IXFT20N80Q的Datasheet PDF文件第2页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
先进的技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
额定雪崩,
低Q
g
,高dv / dt
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米(以0.063 )
安装力矩
TO-247
TO-268
TO-264
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
£
I
DM
, di / dt的
£
100 A / MS ,V
DD
£
V
DSS
,
T
J
£
150℃ ,R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
IXFH20N80Q V
DSS
= 800 V
IXFK20N80Q我
D25
=
20 A
IXFT20N80Q ř
DS ( ON)
= 0.42
W
t
rr
£
250纳秒
最大额定值
800
800
±20
±30
20
80
20
45
1.5
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
TO-247
TO-264
1.13/10
0.9/6
6
4
10
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
AD TO- 247 ( IXFH )
( TAB )
的TO- 268 ( D3), ( IXFT )
G
S
TO- 264 AA ( IXFK )
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
g
g
G =门
S =源
G
D
S
D( TAB )
TAB =漏
特点
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
800
2.5
4.5
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
25
1
0.42
V
V
nA
mA
mA
W
• IXYS先进的低Q
g
过程
•国际标准封装
•环氧符合UL 94 V - 0可燃性
分类
•低R
DS ( ON)
低Q
g
•雪崩能量和额定电流
•快速内在整流器
优势
•易于安装
•节省空间
•高功率密度
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 • I
D25
脉冲测试,T
£
300
女士,
占空比ð
£
2 %
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
98616 (4/99)
版权所有©2000 IXYS所有权利。
1-2
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7