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K4320Y1EN1S  K4340N1EB1S  K4320V1EB1S  K4340M1EN1S  K4340C1EB1S  K4320Y1EB1S  K4340D1EB1S  K4320H1EN1S  K4320N1EB1S  K4320X1EN1S  
IXFV18N90P Polar功率MOSFET HiperFET (Polar Power MOSFET HiPerFET)
.型号:   IXFV18N90P
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描述: Polar功率MOSFET HiperFET
Polar Power MOSFET HiPerFET
文件大小 :   197 K    
页数 : 5 页
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品牌   IXYS [ IXYS CORPORATION ]
购买 :   
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100%
POLAR
TM
功率MOSFET
HiPerFET
TM
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFH18N90P
IXFT18N90P
IXFV18N90P
IXFV18N90PS
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
t
rr
=
=
900V
18A
600mΩ
Ω
300ns
TO- 247 ( IXFH )
G
D
S
D( TAB )
TO- 268 ( IXFT )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
最大无铅焊接温度的
塑料机身10秒
安装扭矩( TO- 247 )
安装力( PLUS220 )
TO-247
TO-268
PLUS220类型
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
900
900
±
30
±
40
18
36
9
800
15
540
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13/10
11..65/2.5..14.6
6
4
4
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
g
G =门
S =源
特点
国际标准封装
额定雪崩
低封装电感
快速内在二极管
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
900
3.0
6.0
±
100
V
V
nA
高功率密度
易于安装
节省空间
应用
开关模式和谐振模
电源
DC- DC转换器
激光驱动器
AC和DC马达驱动器
机器人和伺服控制
DS100057A(9/09)
G
S
G
D
S
G
S
D( TAB )
PLUS220 ( IXFV )
D( TAB )
PLUS220SMD ( IXFV_S )
D( TAB )
D
=漏
TAB =漏
25
μA
1.5毫安
600
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5 • I
D25
注意1
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