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IXTP75N10P N沟道增强模式 (N-Channel Enhancement Mode)
.型号:   IXTP75N10P
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描述: N沟道增强模式
N-Channel Enhancement Mode
文件大小 :   582 K    
页数 : 5 页
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品牌   IXYS [ IXYS CORPORATION ]
购买 :   
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100%
先进的技术信息
PolarHT
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
IXTQ 75N10P
IXTA 75N10P
IXTP 75N10P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 100 V
= 75 A
= 25
mΩ
TO-3P ( IXTQ )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25 ℃〜175 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
最大额定值
100
100
±20
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
G =门
S =源
G
S
( TAB )
D =漏
TAB =漏
G
ð S
( TAB )
G
D
( TAB )
S
的TO-220 ( IXTP )
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 10
T
C
= 25°C
75
200
50
30
1.0
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
TO- 263 ( IXTA )
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
最高温度标签焊接
的TO- 263封装为10秒
安装力矩
TO-3P
TO-220
TO-263
( TO-3P / TO-220 )
300
260
M
d
重量
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
5.5
4
3
g
g
g
特点
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
100
2.5
5.0
±100
25
250
21
25
V
V
nA
µA
µA
mΩ
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
PolarHT
TM
DMOS晶体管
利用专有的设计和
流程。美国专利正在申请中。
版权所有©2004 IXYS所有权利。
DS99158(03/04)
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