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先进的技术信息
PolarHT
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
IXTQ 75N10P
IXTA 75N10P
IXTP 75N10P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 100 V
= 75 A
= 25
mΩ
TO-3P ( IXTQ )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25 ℃〜175 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
最大额定值
100
100
±20
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
G =门
S =源
G
S
( TAB )
D =漏
TAB =漏
G
ð S
( TAB )
G
D
( TAB )
S
的TO-220 ( IXTP )
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 10
T
C
= 25°C
75
200
50
30
1.0
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
TO- 263 ( IXTA )
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
最高温度标签焊接
的TO- 263封装为10秒
安装力矩
TO-3P
TO-220
TO-263
( TO-3P / TO-220 )
300
260
M
d
重量
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
5.5
4
3
g
g
g
特点
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
100
2.5
5.0
±100
25
250
21
25
V
V
nA
µA
µA
mΩ
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
PolarHT
TM
DMOS晶体管
利用专有的设计和
流程。美国专利正在申请中。
版权所有©2004 IXYS所有权利。
DS99158(03/04)
IXTA 75N10P IXTP 75N10P
IXTQ 75N10P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
20
28
2250
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
890
275
27
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 10
(外部)
53
66
45
74
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
18
40
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42 K / W
(TO-3P)
(TO-220)
0.21
0.25
K / W
K / W
TO- 3P ( IXTQ )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
75
200
1.5
120
1.4
A
A
V
ns
µC
TO- 220 ( IXTA )大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 75 V
TO- 263 ( IXTP )大纲
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
引脚:
1 - GATE
2 - 漏极
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
:下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXTA 75N10P IXTP 75N10P
IXTQ 75N10P
图。 1.输出特性
@ 25
º
C
80
70
60
V
GS
= 10V
9V
120
110
100
90
8V
80
70
60
50
40
30
20
6V
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
6V
7V
8V
V
GS
= 10V
9V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
º
C
I
D
- 安培
50
40
30
20
10
0
7V
I
D
- 安培
V
ð S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
º
C
80
70
60
V
GS
= 10V
9V
2.2
2
V
GS
= 10V
V
ð S
- 伏特
图。 4. ř
DS (上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
R
ð S(O N)
- 归
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I
D
= 37.5A
I
D
= 75A
I
D
- 安培
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
8V
7V
6V
5V
2.5
3
3.5
4
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
ð S
- 伏特
图。 5. ř
DS ( ON)
规范alized到
2.8
2.6
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
0.5 I
D25
价值与我
D
V
GS
= 10V
80
70
60
R
ð S(O N)
- 归
2.4
2.2
I
D
- 安培
T
J
= 25ºC
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
20
T
J
= 125ºC
50
40
30
20
10
0
40
I
D
- 安培
60
80
100
120
-50
-25
T
C
- 摄氏
0
25
50
75
100
125
150
版权所有©2004 IXYS所有权利。
IXTA 75N10P IXTP 75N10P
IXTQ 75N10P
图。 7.输入上将ittance
120
105
90
40
36
32
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
28
24
20
16
12
8
4
0
T
J
= -40ºC
25ºC
125ºC
I
D
- 安培
75
60
45
30
15
0
5
6
7
8
9
1
0
1
1
T
J
= 125ºC
25ºC
-40ºC
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
200
180
160
10
9
8
7
V
DS
= 50V
I
D
= 37.5A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
140
120
100
80
60
40
20
0
0.5
0.7
0.9
T
J
= 25ºC
T
J
= 125ºC
V
的s
- 伏特
1.1
1.3
1.5
1.7
6
5
4
3
2
1
0
V
S.D。
- 伏特
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
1000
T
J
= 150ºC
R
DS ( ON)
极限
ç国际空间站
T
C
= 25ºC
25µs
100µs
1ms
10
ç RSS
10ms
DC
图。 11.电容
10000
F = 1MHz的
电容 - 皮法
I
D
- 安培
40
100
1000
ç OSS
100
0
5
10
15
1
V
ð S
- 伏特
20
25
30
35
1
10
V
ð S
- 伏特
100
1000
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
:下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXTA 75N10P IXTP 75N10P
IXTQ 75N10P
图。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱ř ES是tance
0.45
0.40
0.35
R
T H, J·C
-
º
C / W
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
1
10
100
1000
浦LS东西ID日 - 米illis权证Ø N D s
版权所有©2004 IXYS所有权利。
相关元器件产品Datasheet PDF文档

IXTP76N075T

Preliminary Technical Information N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
45 IXYS

IXTP76N25T

Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
39 IXYS

IXTP7N45

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
22 icpdf_datashe

IXTP7N45A

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
25 icpdf_datashe

IXTP7N50

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
17 icpdf_datashe