JCS1HN60TC-O-T-N-A [JSMC]
High efficiency switch mode power supplies;
| 型号： | JCS1HN60TC-O-T-N-A |
| 厂家： | 
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
| 描述： | High efficiency switch mode power supplies |
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N沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
JCS1HN60C
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
0.5 A
600 V
15 Ω
TO-92
ID
封装 Package
VDSS
Rdson（@Vgs=10V）
Qg
3.6 nC
APPLICATIONS
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
产品特性
z低栅极电荷
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 2.8pF )
zFast switching
z低Crss (典型值2.8pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗dv/dt 能力
zRoHS 产品
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
印
记
封
装
无卤素
包
装
器件重量
Order codes
Marking
Package Halogen Free Packaging Device Weight
JCS1HN60TC-O-T-N-A JCS1HN60C
JCS1HN60TC-R-T-N-A JCS1HN60C
TO-92
TO-92
否
NO
编带Brede
编带Brede
0.216 g(typ)
0.216 g(typ)
YES NO
版本：201311A
1/9
R
JCS1HN60C
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
数 值
项
目
符 号
单 位
Value
Unit
Parameter
Symbol
JCS1HN60C
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
VDSS
600
V
0.5
A
A
ID T=25℃
T=100℃
Drain Current
-continuous
0.31
最大脉冲漏极电流（注1）
Drain Current - pulse
最高栅源电压
IDM
2.0
±30
20
A
V
（note 1）
VGSS
EAS
IAR
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量（注2）
mJ
A
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）
雪崩电流（注1）
1.0
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩能量（注1）
Repetitive Avalanche Energy
（note 1）
EAR
2.0
mJ
二极管反向恢复最大电压变化速率（注3）
Peak Diode Recovery dv/dt （note 3）
dv/dt
4.2
3.0
V/ns
W
PD
耗散功率
TC=25℃
-Derate
above 25℃
Power Dissipation
0.025
-55～+150
300
W/℃
℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature TJ，TSTG
Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for Soldering TL
Purposes
℃
版本：201311A
2/9
R
JCS1HN60C
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
符 号
测试条件
最小 典型最大单 位
Parameter
关态特性 Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
BVDSS
ID=250μA, VGS=0V
600
-
-
-
-
V
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
∆BVDSS/∆
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ID=1mA, referenced to 25℃
VDS=600V,VGS=0V, TC=25℃
0.60
V/℃
TJ
零栅压下漏极漏电流
-
-
-
-
10 μA
100 μA
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=480V,
TC=125℃
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
forward
IGSSF
VDS=0V, VGS =30V
VDS=0V, VGS =-30V
-
-
-
-
100 nA
-100 nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
IGSSR
通态特性On-Characteristics
阈值电压
VGS(th)
RDS(ON)
gfs
VDS = VGS , ID=250μA
2.0
-
4.0
V
Ω
S
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
VGS =10V , ID=0.5A
-
-
12 15
正向跨导
0.6
-
Forward Transconductance
动态特性Dynamic Characteristics
输入电容
VDS = 40V , ID=0.5（note 4）
VDS=25V,
Ciss
Coss
Crss
-
-
-
200 220 pF
19 23 pF
2.8 4.0 pF
Input capacitance
输出电容
V
GS =0V,
f=1.0MHZ
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
版本：201311A
3/9
R
JCS1HN60C
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性Switching Characteristics
延迟时间Turn-On delay time
上升时间Turn-On rise time
延迟时间Turn-Off delay time
下降时间Turn-Off Fall time
栅极电荷总量Total Gate Charge
栅－源电荷Gate-Source charge
栅－漏电荷Gate-Drain charge
td(on)
tr
VDD=300V,ID=1.0A,RG=25Ω
（note 4，5）
-
-
-
-
-
-
-
9
20
ns
ns
ns
ns
32 80
16 41
28 60
td(off)
tf
V
DS =480V ,
ID=1.0A
GS =10V （note 4，5）
Qg
2.5 3.5 nC
Qgs
Qgd
0.5
1.2
-
-
nC
nC
V
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
IS
-
-
-
-
-
-
1.0
4.0
1.0
A
A
V
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
ISM
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD
VGS=0V,
IS=1.0A
反向恢复时间
trr
-
-
185
-
-
ns
Reverse recovery time
反向恢复电荷
VGS=0V, IS=1.0A
dIF/dt=100A/μs
(note 4)
Qrr
0.51
μC
Reverse recovery charge
热特性THERMAL CHARACTERISTIC
最大
项
目
符 号
单 位
Max
Parameter
Symbol
Unit
℃/W
℃/W
JCS1HN60TC
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Rth(j-c)
Rth(j-A)
－
120
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
Notes:
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=36mH, IAS=1.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结
温TJ=25℃
1 ： Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=36mH, IAS=1.0A, VDD=50V, RG=25 Ω, Starting
TJ=25℃
3：ISD ≤1.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温
TJ=25℃
3 ：ISD ≤1.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
TJ=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201311A
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R
JCS1HN60C
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
On-Region Characteristics
VGS
15V
10V
8V
Top
7V
6.5V
6V
10
5.5V
Bottom 5V
1
150℃
1
25℃
Notes：
1. 250μs pulse test
2. TC=25℃
Notes：
1.250μs pulse test
2.VDS=40V
0.1
0.1
1
10
2
4
6
8
10
VDS [V]
VGS [V]
On-Resistance Variation vs.
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
Drain Current and Gate Voltage
16
15
VGS=20V
14
1
13
VGS=10V
150℃
12
25℃
Note ：Tj=25℃
11
10
0.0
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
ID [A]
VSD [V]
Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics
10
8
VDS=300V
VDS=120V
VDS=480V
6
4
2
0
0
1
2
3
4
Q Toltal Gate Charge [nC]
g
版本：201311A
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R
JCS1HN60C
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
On-Resistance Variation
vs. Temperature
Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
Notes：
1. VGS=0V
2. ID=250μA
Notes：
1. VGS=10V
2. ID=0.5A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Tj [℃]
T [ ℃]
j
Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Maximum Safe Operating Area
For JCS1HN60TC
版本：201311A
6/9
R
JCS1HN60C
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JCS1HN60TC
1
0.5
0.2
Notes :
0.1
0.1
1. ZθJA(t)= r(t) * RθJA
2. Duty Factor, D=t1/t2
3. TJM – TA = PDM * ZθJA(t)
0.05
0.02
0.01
single pulse
0.01
10-2
10-1
100
101
102
103
104
105
t1 [ms]
版本：201311A
7/9
R
JCS1HN60C
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-92
单位Unit：mm
版本：201311A
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R
JCS1HN60C
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理，无论哪种方式，订货
时请与公司核实。
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
司本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
额定值，否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to
change without prior notice.
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Province, China.
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Post Code: 132013
邮编：132013
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传真：86-432-64665812
网址：www.hwdz.com.cn
Fax：86-432-64665812
Web Site：www.hwdz.com.cn
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市场营销部
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邮编：132013
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64675688
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64675688
64678411
64678411
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传真: 86-432-64671533
版本：201311A
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