JCS4N65BE-R-B-N-B [JSMC]
LED power supply;
| 型号： | JCS4N65BE-R-B-N-B |
| 厂家： | 
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
| 描述： | LED power supply |
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R
JCS4N65E
JCS4N65E
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
4.0 A
650 V
2.5Ω
ID
VDSS
Rdson_max
（Vgs=10V）
Qg-typ
11.9nC
APPLICATIONS
用途
High frequency switching
mode power supply
高频开关电源
电子镇流器
LED 电源
Electronic ballast
LED power supply
FEATURES
产品特性
低栅极电荷
Low gate charge
Low Crss (typical 2.2pF )
Fast switching
低 Crss (典型值 2.2pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗 dv/dt 能力
RoHS 产品
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
无卤素
订 货 型 号
印
记
封
装
包
装
器件重量
Halogen Free
Device Weight
Order codes
Marking
Package
TO-220MF-K1
TO-220MF-K2
TO-220MF-K2
DPAK
Packaging
JCS4N65FE-O-F1-N-B JCS4N65F
JCS4N65FE-O-F2-N-B JCS4N65F
JCS4N65FE-R-F2-N-B JCS4N65F
JCS4N65RE-O-R-N-A JCS4N65R
否
否
是
否
是
否
否
是
是
否
是
否
是
否
是
NO
条管 Tube 1.78 g(typ)
条管 Tube 1.78 g(typ)
条管 Tube 1.78 g(typ)
NO
YES
NO
编带 Reel
编带 Reel
0.30 g(typ)
0.30 g(typ)
JCS4N65RE-R-R-N-A
JCS4N65R
DPAK
YES
NO
JCS4N65RE-O-R-N-B JCS4N65R
DPAK
条管 Tube 0.30 g(typ)
条管 Tube 0.35 g(typ)
条管 Tube 0.35 g(typ)
条管 Tube 0.35 g(typ)
条管 Tube 1.71g(typ)
条管 Tube 1.71g(typ)
条管 Tube 0.70g(typ)
条管 Tube 0.70g(typ)
条管 Tube 0.70g(typ)
条管 Tube 0.70g(typ)
JCS4N65VE-O-I-N-B
JCS4N65VE-R-I-N-B
JCS4N65VE-R-VN2-N-B
JCS4N65V
JCS4N65V
JCS4N65V
TO-251
NO
TO-251
YES
YES
NO
TO-251N-S2
TO-262
JCS4N65BE-O-B-N-B JCS4N65B
JCS4N65BE-R-B-N-B JCS4N65B
TO-262
YES
NO
JCS4N65ME-O-M-N-B JCS4N65M
JCS4N65ME-R-M-N-B JCS4N65M
TO-126
TO-126
YES
NO
JCS4N65MFE-O-M-N-B
JCS4N65MFE-R-M-N-B
JCS4N65MF
JCS4N65MF
TO-126F
TO-126F
YES
版本：201704F
1/16
R
JCS4N65E
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
数
值
Value
项
目
符 号
单
位
JCS4N65FE
JCS4N65RE/VE/B
E/ME/MFE
Parameter
Symbol
(TO-220MF-K1/TO-220MF-K2)
Unit
最高漏极－源极直流电压
VDSS
650
4.0
2.5
V
A
A
Drain-Source Voltage
ID
连续漏极电流
T=25℃
T=100℃
Drain Current -continuous
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse
（note 1）
IDM
16
A
V
最高栅源电压
VGSS
±30
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche
Energy
EAS
256
mJ
note 2）
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current
（note 1）
IAR
4.0
A
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current
（note 1）
EAR
11.0
mJ
二极管反向恢复最大电压变化
速率（注 3）
dv/dt
5.5
V/ns
W
Peak Diode Recovery
dv/dt （note 3）
PD
40.1
176
TC=25℃
-Derate
above
25℃
耗散功率
W/
Power Dissipation
0.32
1.41
℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
TJ，TSTG
-55～+150
℃
℃
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
TL
300
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201704F
2/16
R
JCS4N65E
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
符
号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
关态特性 Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
BVDSS
ID=250μA, VGS=0V
650
-
-
-
-
V
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
0.65
V/℃
TJ
25℃
VDS=650V,VGS=0V,
TC=25℃
-
-
-
-
10
μA
μA
零栅压下漏极漏电流
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=520V, TC=125℃
100
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
forward
IGSSF
VDS=0V, VGS =30V
VDS=0V, VGS =-30V
-
-
-
-
100
nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
IGSSR
-100 nA
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
VGS(th)
RDS(ON)
gfs
VDS = VGS , ID=250μA
2.0
-
4.0
V
Ω
S
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
VGS =10V , ID=2.0A
-
-
1.9 2.5
正向跨导
VDS = 40V , ID=2.0A（note
4）
1.36
-
Forward Transconductance
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容
VDS=25V,
VGS =0V,
f=1.0MHZ
Ciss
Coss
Crss
-
-
-
540 890
55 100
pF
pF
pF
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
2.2
10
Reverse transfer capacitance
版本：201704F
3/16
R
JCS4N65E
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
延迟时间 Turn-Off delay time
下降时间 Turn-Off Fall time
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅－源电荷 Gate-Source charge
栅－漏电荷 Gate-Drain charge
td(on)
tr
VDD=325V,ID=4.0A,RG=25Ω
（note 4，5）
-
-
-
-
-
-
-
21 58
18 52
36 90
16 50
11.9 20
ns
ns
td(off)
tf
ns
ns
VDS =520V ,
Qg
nC
nC
nC
ID=4.0A
Qgs
Qgd
3.0
5.2
-
-
VGS =10V （note 4，5）
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
IS
-
-
-
-
-
-
4
A
A
V
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
ISM
16
1.4
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD
VGS=0V,
IS=4.0A
反向恢复时间
trr
-
-
288
-
-
ns
Reverse recovery time
反向恢复电荷
VGS=0V, IS=4.0A
dIF/dt=100A/μs (note 4)
Qrr
1.33
μC
Reverse recovery charge
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
最大 Max
JCS4N65FE
符
号
单位
JCS4N65RE/VE/B
E/ME/MFE
项
目
Symbol
Unit
(TO-220MF-K1/K2)
Parameter
结到管壳的热阻
Rth(j-c)
3.12
0.71
℃/W
℃/W
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Rth(j-A)
46.52
72.27
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Notes:
注释：
1：Pulse width limited by maximum junction
1：脉冲宽度由最高结温限制
temperature
2：L=46mH, IAS=4.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结
温 TJ=25℃
2：L=46mH, IAS=4.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3：ISD ≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温
TJ=25℃
3 ： ISD ≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
TJ=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201704F
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R
JCS4N65E
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
On-Region Characteristics
10
VGS
15V
10V
8V
10
Top
7V
6.5V
6V
150℃
5.5V
Bottom 5V
1
25℃
Notes：
1
Notes：
1. 250μs pulse test
2. TC=25℃
1.250μs pulse test
2.VDS=40V
0.1
2
4
6
8
10
10
VGS [V]
VDS [V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
10
25℃
1
150℃
Notes：
1. 250μs pulse test
2. VGS=0V
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
VSD [V]
Gate Charge Characteristics
Capacitance Characteristics
版本：201704F
5/16
R
JCS4N65E
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Breakdown Voltage Variation
On-Resistance Variation
vs. Temperature
vs. Temperature
1.15
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1.10
1.05
1.00
0.95
Notes：
Notes：
1. VGS=10V
2. ID=2.0A
1. VGS=0V
0.90
2. ID=250μA
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Tj [℃]
Tj[℃]
Maximum Safe Operating Area
Maximum Safe Operating Area
For JCS4N65FE(TO-220MF-K1/K2)
For JCS4N65RE/VE/BE/ME/MFE
Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
版本：201704F
6/16
R
JCS4N65E
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JCS4N65FE(TO-220MF-K1/K2)
Transient Thermal Response Curve
For JCS4N65RE/VE/BE/ME/MFE
版本：201704F
7/16
R
JCS4N65E
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220MF-K1
单位 Unit：mm
版本：201704F
8/16
R
JCS4N65E
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220MF-K2
单位 Unit：mm
版本：201704F
9/16
R
JCS4N65E
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-251
单位 Unit：mm
版本：201704F
10/16
R
JCS4N65E
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
DPAK
单位 Unit：mm
编带 REEL
版本：201704F
11/16
R
JCS4N65E
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-251N-S2
单位 Unit：mm
版本：201704F
12/16
R
JCS4N65E
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-262
单位 Unit：mm
版本：201704F
13/16
R
JCS4N65E
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-126
单位 Unit：mm
版本：201704F
14/16
R
JCS4N65E
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-126F
单位 Unit：mm
版本：201704F
15/16
R
JCS4N65E
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理，无论哪种方式，订货
时请与公司核实。
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
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2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
司本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
额定值，否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
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the right to make changes in this
specification sheet and is subject to
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市场营销部
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邮编：132013
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64675688
电话： 86-432-64675588
64675688
64678411
64678411
Fax: 86-432-64671533
传真: 86-432-64671533
版本：201704F
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