JCS730BC-O-B-N-B [JSMC]
N-CHANNEL MOSFET;
| 型号： | JCS730BC-O-B-N-B |
| 厂家： | 
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
| 描述： | N-CHANNEL MOSFET |
| 文件： | 总14页 (文件大小：1424K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
N沟道增强型场效应晶体管
R
N-CHANNEL MOSFET
JCS730C
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
5.5 A
400 V
ID
VDSS
Rdson-max
（@Vgs=10V）
Qg-typ
1.0 Ω
14 nC
APPLICATIONS
用途
高频开关电源
电子镇流器
LED 电源
High frequency switching
mode power supply
Electronic ballast
LED power supply
产品特性
低栅极电荷
FEATURES
Low gate charge
Low Crss (typical 4.5pF )
Fast switching
低 Crss (典型值 4.5pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗 dv/dt 能力
RoHS 产品
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
印
记
封
装
无卤素
包
装
器件重量
Order codes
Marking
Package
Halogen Free Packaging Device Weight
JCS730VC-O-V-N-B
JCS730RC-O-R-N-B
JCS730RC-O-R-N-A
JCS730SC-O-S-N-B
JCS730BC-O-B-N-B
JCS730CC-O-C-N-B
JCS730FC-O-F-N-B
JCS730VC IPAK
否
否
否
否
否
否
否
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
条管 Tube
条管 Tube
编带 Reel
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
0.35 g(typ)
0.30 g(typ)
0.30 g(typ)
1.37 g(typ)
1.71 g(typ)
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
JCS730RC DPAK
JCS730RC DPAK
JCS730SC TO-263
JCS730BC TO-262
JCS730CC TO-220C
JCS730FC TO-220MF
版本：201607A
1/14
R
JCS730C
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
数
值
Value
JCS730SC
/BC/CC
项
目
符
号
单
Parameter
Symbol
JCS730
VC/RC
位
JCS730FC
Unit
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
VDSS
400
V
ID
5.5
5.5*
3.5*
A
A
Drain Current
T=25℃
T=100℃
3.5
-continuous
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse
（note 1）
IDM
22
22*
A
V
最高栅源电压
VGSS
±30
328
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche
Energy（note 2）
雪崩电流（注 1）
EAS
mJ
Avalanche Current（note IAR
1）
5.5
7.3
A
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche
Energy （note 1）
二极管反向恢复最大电压
变化速率（注 3）
EAR
mJ
dv/dt
5.5
V/ns
W
Peak Diode Recovery
dv/dt（note 3）
PD
59
73
38
TC=25℃
-Derate
above
25℃
耗散功率
Power Dissipation
W/
0.48
0.58
0.3
℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead
TJ，TSTG
-55～+150
℃
℃
TL
300
Temperature for Soldering
Purposes
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201607A
2/14
R
JCS730C
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
符
号
测试条件
最大 典型最 大单 位
Parameter
关态特性 Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
BVDSS
ID=250μA, VGS=0V
400
-
-
-
-
V
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
0.4
V/℃
TJ
25℃
VDS=400V,VGS=0V,
TC=25℃
-
-
-
-
10 μA
100 μA
零栅压下漏极漏电流
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=320V, TC=125℃
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
forward
IGSSF
VDS=0V, VGS =30V
VDS=0V, VGS =-30V
-
-
-
-
100 nA
-100 nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
IGSSR
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
VGS(th)
RDS(ON)
gfs
VDS = VGS , ID=250μA
2.0
-
4.0
V
Ω
S
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
VGS =10V , ID=2.75A
-
-
0.85 1.0
正向跨导
VDS = 40V, ID=2.75A（note
4）
4.95
-
Forward Transconductance
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容
VDS=25V,
VGS =0V,
f=1.0MHZ
Ciss
Coss
Crss
-
-
-
537.4 698 pF
80.6 104 pF
4.5 5.8 pF
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
版本：201607A
3/14
R
JCS730C
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
延迟时间 Turn-Off delay time
下降时间 Turn-Off Fall time
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅－源电荷 Gate-Source charge
栅－漏电荷 Gate-Drain charge
td(on)
tr
VDD=200V,ID=5.5A,RG=25Ω
（note 4，5）
-
-
-
-
-
-
-
17 40 ns
20 120 ns
45 180 ns
18 110 ns
14 17 nC
td(off)
tf
VDS =320V ,
Qg
ID=5.5A
Qgs
Qgd
3.1
5.4
-
-
nC
nC
VGS =10V （note 4，5）
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
IS
-
-
-
-
-
5.5
22
A
A
V
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
ISM
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD
VGS=0V,
IS=5.5A
-
1.5
-
反向恢复时间
trr
-
-
278
ns
Reverse recovery time
反向恢复电荷
VGS=0V, IS=5.5A
dIF/dt=100A/μs (note 4)
Qrr
1.13 -
μC
Reverse recovery charge
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
最大
项
目
符
号
单 位
Max
Parameter
Symbol
Unit
℃/W
℃/W
JCS730V/R JCS730S/B/C JCS730F
结到管壳的热阻
Rth(j-c)
2.05
110
1.71
62.5
3.31
62.5
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Rth(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Notes:
注释：
1 ： Pulse width limited by maximum junction
temperature
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=19mH, IAS=5.5A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结
温 TJ=25℃
2：L=19mH, IAS=5.5A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3：ISD ≤5.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温
TJ=25℃
3 ： ISD ≤5.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
TJ=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201607A
4/14
R
JCS730C
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
On-Region Characteristics
VGS
Top
15V
10V
8V
10
7V
6.5V
6V
10
25℃
5.5V
Bottom 5V
150℃
1
N o t e：s
Notes：
1 . 2 5 0 μ s p u l s e
t
1. 250μs pulse test
2. TC=25℃
2 . V =40V
DS
0.1
1
2
4
6
8
10
1
10
VDS [V]
VG S [V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
1.05
1.00
10
25℃
0.95
VGS= 1 0 V
0.90
1
VGS= 2 0 V
0.85
150℃
Notes：
1. 250μs pulse test
0.80
N o t e：Tj= 2 5℃
2. VGS=0V
0.75
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
ID [A]
VSD [V]
Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics
12
10
8
VDS=320V
VDS=200V
VDS=80V
6
4
2
0
0
4
8
12
16
Qg Toltal Gate Charge [nC]
版本：201607A
5/14
R
JCS730C
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Breakdown Voltage Variation
On-Resistance Variation
vs. Temperature
vs. Temperature
1.2
3 . 0
2 . 5
2 . 0
1 . 5
1 . 0
0 . 5
0 . 0
1.1
1.0
Notes：
0.9
N o t e：s
1. VGS=0V
1 . V= 1 0 V
GS
2. ID=250μA
2 . D=I 2 . 7 5 A
0.8
-75
- 7 5
- 5 0
- 2 5
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Tj [ ℃]
Tj [℃]
Maximum Safe Operating Area
For JCS730F
Maximum Safe Operating Area
For JCS730V/R/S/B/C
Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
版本：201607A
6/14
R
JCS730C
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JCS730VC/RC
Transient Thermal Response Curve
For JCS730SC/BC/CC
Transient Thermal Response Curve
For JCS730FC
版本：201607A
7/14
R
JCS730C
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
IPAK
单位 Unit：mm
版本：201607A
8/14
R
JCS730C
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
DPAK
单位 Unit：mm
编带 REEL
版本：201607A
9/14
R
JCS730C
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-262
单位 Unit：mm
版本：201607A
10/14
R
JCS730C
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-263
单位 Unit：mm
版本：201607A
11/14
R
JCS730C
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220C
单位 Unit：mm
版本：201607A
12/14
R
JCS730C
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220MF
单位 Unit：mm
版本：201607A
13/14
R
JCS730C
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理，无论哪种方式，订货
时请与公司核实。
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
司本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
额定值，否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to
change without prior notice.
CONTACT
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
联系方式
吉林华微电子股份有限公司
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号
Post Code: 132013
邮编：132013
Tel： 86-432-64678411
总机：86-432-64678411
传真：86-432-64665812
网址：www.hwdz.com.cn
Fax：86-432-64665812
Web Site：www.hwdz.com.cn
MARKET DEPARTMENT
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
市场营销部
地址：吉林省吉林市深圳街 99 号
Post Code: 132013
邮编：132013
Tel: 86-432-64675588
64675688
电话： 86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
64678411-3098/3099
传真: 86-432-64671533
Fax: 86-432-64671533
版本：201607A
14/14
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明