SBL1045 [JSMC]
Low voltage, high frequency rectifier;
| 型号： | SBL1045 |
| 厂家： | 
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
| 描述： | Low voltage, high frequency rectifier 二极管 |
| 文件： | 总6页 (文件大小：401K) |
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肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
SBL1045
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV)
VRRM
Tj
10A
45 V
150 ℃
IFSM
VF(max)
180 A
0.45V （@Tj=125℃）
APPLICATIONS
z Low voltage, high frequency
用途
z 低压、高频整流
rectifier
SMP
z Free wheeling diodes,polarity
protection applications
z solar cell junction box as a
bypass diode
z 低压续流电路和保护电
路
z 太阳能电池接线盒旁路
二极管
FEATURES
产品特性
z贴片结构
zPatch type Rectifier
zLow power loss, high efficiency
zHigh Operating Junction
Temperature
z低功耗，高效率
z良好的高温特性
zGuard ring for overvoltage
protection，High reliability
zRoHS product
z有过压保护环，高可靠性
z环保（RoHS）产品
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
SBL1045G
印
记
封
装
无卤素
包
装
器件重量
Marking
SBL1045
SBL1045
Package
SMP
Halogen Free
Packaging
编带 Tape
编带 Tape
Device Weight
0.09 (approx.)
0.09(approx.)
否
是
NO
SBL1045GR
SMP
YES
版本(Rev.)：201505E
1/6
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
目
符 号
数 值
单 位
Parameter
最大反向重复峰值电压
Symbol
Value
Unit
VRRM
VDC
45
45
10
V
V
A
Repetitive peak reverse voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
正向平均整流电流TC=100℃
Average Rectified Forward Current
正向峰值浪涌电流
IF(AV)
Surge non repetitive forward current
（额定负载8.3ms 半正弦波—按JEDEC 方法）
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
直流电流无反向偏压正向结温度
Junction temperature in DC forward current
without reverse bias
IFSM
180
A
(1)
TJ
≤200
℃
℃
工作结温和储存温度范围
TSTG
-55~+150
Storage temperature range
注意：
(1)
符合IEC 61215 版2 旁路二极管热试验要求
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
测试条件
典型值
最大值
单位
Parameter
Tests conditions
Value(typ) Value(max)
Unit
Tj =25℃
VR=VRRM
VR=VRRM
IF=5A
0.15
7
0.2
10
IR
mA
V
Tj =125℃
Tj =25℃
Tj =25℃
Tj =125℃
Tj =125℃
VF
0.40
0.45
0.35
0.38
800
——
0.52
——
0.45
——
IF=10A
IF=5A
IF=10A
CJ
4V 1MHz
pF
热特性THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
符 号
最小值
最大值
单 位
Parameter
Symbol
Value(min) Value(max) Unit
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
Rth(j-c)
——
——
10
SMP
℃/W
结到环境的热阻
Thermal resistance from
junction to ambient
Rth(j-a)
200
版本(Rev.)：201402B
2/6
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
IF vs VF
IR vs VR
AP(w) vs IF(A)
CJ vs VR
版本(Rev.)：201505E
3/6
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
IF vs TM
版本(Rev.)：201505E
4/6
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
SMP
单位Unit ：inches (millimeters)
版本(Rev.)：201505E
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肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
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为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时
请与公司核实。
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please don’t
be hesitate to contact us.
本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
3. Please do not exceed the absolute maximum
ratings of the device when circuit designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
额定值，否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
specification sheet and is subject to change
without prior notice.
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市场营销部
MARKET DEPARTMENT
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
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邮编：132013
Post Code: 132013
电话：86-432-64675588
64675688
Tel:
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64675688
64678411-3098/3099
传真: 86-432-64671533
64678411-3098/3099
Fax: 86-432-64671533
附录（Appendix）：修订记录（Revision History）
日期
旧版本
新版本
修订内容Description of Changes
Date
Last Rev. New Rev.
2015-4-29 201405D 201505E 修订高温漏电曲线
版本(Rev.)：201505E
6/6
相关型号：
SBL1045CT
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Low VF Schottky Barrier Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。
SIRECTIFIER
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