KDR735T

更新时间:2024-09-18 11:52:05
品牌:KEC
描述:SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

KDR735T 概述

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE 肖特基型二极管 整流二极管

KDR735T 规格参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.84其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:2端子数量:4
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.9 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KDR735T 数据手册

通过下载KDR735T数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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SEMICONDUCTOR  
KDR735T  
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE  
TECHNICAL DATA  
LOW CURRENT RECTIFICATION AND HIGH SPEED SWITCHING.  
E
B
DIM MILLIMETERS  
_
FEATURES  
A
B
2.9+0.2  
1
2
4
1.6+0.2/-0.1  
Low Reverse Current : IR=0.1 A(Typ.)  
High Reliability.  
_
0.70+0.05  
C
D
E
F
G
H
I
_
0.4+0.1  
2.8+0.2/-0.3  
_
Small Package : TSQ.  
+
1.9 0.2  
3
_
0.16+0.05  
0.00-0.10  
0.25+0.3/-0.15  
_
0.60+ 0.1  
J
_
0.55+ 0.1  
K
MAXIMUM RATING (Ta=25  
)
H
G
I
I
CHARACTERISTIC  
Reverse Voltage  
SYMBOL  
VR  
RATING  
30  
UNIT  
V
4
1
3
IO*  
Average Forward Current  
Surge Current (10ms)  
Power Dissipation  
200  
mA  
A
1. D1 ANODE  
2. D2 ANODE  
D1  
D2  
IFSM*  
1
3. D2 CATHODE  
4. D1 CATHODE  
2
PD**  
Tj  
900  
mW  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
125  
Tstg  
-40 125  
TSQ  
* Unit rating. (Total rating = Unit rating 1.5)  
** Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 20mm,  
pad dimension of 4 4mm.  
Lot No.  
Marking  
3
4
Type Name  
R 3  
1
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Forward Voltage  
Reverse Current  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
0.60  
1.0  
UNIT  
V
VF  
IR  
IF=200mA  
VR=10V  
-
-
-
-
A
2006. 2. 15  
Revision No : 0  
1/2  
KDR735T  
IF - VF  
IR - VR  
1m  
1
100m  
10m  
1m  
Ta=125 C  
Ta=75 C  
100µ  
10µ  
1µ  
100µ  
Ta=25 C  
Ta=-25 C  
100n  
10n  
10µ  
1µ  
0
10  
20  
30  
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
FORWARD VOLTAGE V (V)  
F
REVERSE VOLTAGE V (V)  
R
P - Ta  
CT - VR  
240  
200  
160  
120  
80  
100  
f=1MHz  
Ta=25 C  
Mounted on a glass  
epoxy circuit board  
of 20 20mm, pad  
dimension 4 4mm.  
10  
40  
1
0
0
10  
20  
30  
-40  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
REVERSE VOLTAGE V (V)  
R
AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C)  
2006. 2. 15  
Revision No : 0  
2/2  

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