KDV214E
更新时间：2024-09-18 02:09:17
品牌：KEC
描述：VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TV TUNING)
概述
规格参数
数据手册KDV214E 概述
VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TV TUNING) 变容二极管硅外延平面二极管（电视调谐） 变容二极管
KDV214E 规格参数
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | ESC, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 最小击穿电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 5.35% | 最小二极管电容比： | 6.3 |
| 标称二极管电容： | 14.95 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
KDV214E 数据手册
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SEMICONDUCTOR
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
TECHNICAL DATA
TV TUNING.
FEATURES
C
E
·High Capacitance Ratio : C2V/C25V=6.5(Typ.)
·Low Series Resistance : rS=0.4Ω(Typ.)
·Excellent C-V Characteristics, and Small Tracking Error.
·Useful for Small Size Tuner.
1
2
D
F
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
DIM MILLIMETERS
_
A
B
C
D
E
F
1.60+0.10
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
SYMBOL
VR
RATING
30
UNIT
V
_
1.20+0.10
_
0.80+0.10
_
0.30+0.05
_
+
0.60 0.10
VRM
Tj
Peak Reverse Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature Range
35 (RL=10kΩ)
125
V
_
1. ANODE
2. CATHODE
+
0.13 0.05
℃
Tstg
-55∼125
℃
ESC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
SYMBOL
VR
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
IR=1μA
30
-
-
-
IR
VR=28V
Reverse Current
Capacitance
-
-
10
nA
pF
pF
-
C2V
VR=2V, f=1MHz
VR=25V, f=1MHz
14.16
2.11
5.90
-
16.25
2.43
7.15
0.55
C25V
C2V/C25V
rS
Capacitance
-
Capacitance Ratio
Series Resistance
6.50
0.4
VR=5V, f=470MHz
Ω
Note : Available in matched group for capacitance to 2.5%.
C(Max.)-C(Min.)
≦0.025
C(Min.)
(VR=2~25V)
Marking
Type Name
U O
2002. 6. 14
Revision No : 2
1/2
KDV214E
CV - VR
r s - VR
100
0.8
0.6
f=1MHz
Ta=25 C
f=50MHz
Ta=25 C
50
30
10
0.4
0.2
0
5
3
1
1
3
5
10
30
0
4
8
12
16
20
24
28
REVERSE VOLTAGE V (V)
R
REVERSE VOLTAGE V (V)
R
rS - f
C - Ta
3
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V =5V
R
Ta=25 C
f=1MHz
2
1
V =2V
R
14
20
0
25
-1
-2
-40
-20
0
20
40
60
80
50
100
300
500
1K
AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C)
FREQUENCY f (MHz)
C(Ta)-C(25)
NOTE : C =
x100
C(25)
2002. 6. 14
Revision No : 2
2/2
KDV214E 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| KDV214EA | KEC | ESC PACKAGE | 获取价格 |
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| KDV214E_03 | KEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | 获取价格 |
|
| KDV214V | KEC | VSC PACKAGE | 获取价格 |
|
| KDV214VA | KEC | VSC PACKAGE | 获取价格 |
|
| KDV214_08 | KEC | USC PACKAGE | 获取价格 |
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| KDV215 | KEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | 获取价格 |
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