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IXTP4N60A  IXTP4N80  IXTM7N50  IXTM5N95  IXTM7P45  IXTP5P50  IXTP2N100A  IXTM9N95  IXTM9P20  IXTM8P50  
C430C109Z5R5CA 陶瓷引线电容 (Ceramic Leaded Capacitors)
.型号:   C430C109Z5R5CA
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描述: 陶瓷引线电容
Ceramic Leaded Capacitors
文件大小 :   667 K    
页数 : 48 页
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品牌   KEMET [ KEMET CORPORATION ]
购买 :   
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100%
陶瓷涂层保护/轴向径向&
性能特征标准和高压
一般特定网络阳离子
工作电压:
轴向( WVDC )
C0G - 50 & 100
X7R - 50 & 100
Z5U - 50 & 100
径向( WVDC )
50, 100, 200, 500, 1k, 1.5k, 2k, 2.5k, 3k
50, 100, 200, 500, 1k, 1.5k, 2k, 2.5k, 3k
50 & 100
环境的
振动:
EIA RS - 198 ,方法304 ,条件D ( 10-2000Hz ; 20克)
冲击:
EIA RS - 198 ,方法305 ,条件I ( 100克)
寿命测试:
EIA RS - 198 ,方法201 ,条件D.
£
200V
C0G - 额定电压的200 %@ + 125°C
X7R - 额定电压为200 ​​% + 125°C
Z5U - 额定电压为200 ​​% + 85°C
³
500V
C0G - 额定电压@ + 125°C
X7R - 额定电压@ + 125°C
帖子测试极限25°C为:
电容量变化:
C0G ( £ 200V ) - + 3 %或电容是0.25 pF ,以较高者为准。
C0G ( ³ 500V ) - + 3 %或0.50pF ,以较大者为准。
X7R - 初始值+ 20 % ( 2 )
Z5U - + 30%的初始值(2)
耗散因数:
C0G - 0.15 %最大
X7R - 2.5 %最大
Z5U - 4.0 %最大
绝缘电阻:
C0G - 10K兆欧或100兆欧X μF ,以较低者为准。
³1kV
测试@ 500V 。
X7R - 10K兆欧或100兆欧X μF ,以较低者为准。
³1kV
测试@ 500V 。
Z5U - 1K兆欧或100兆欧X μF ,以较低者为准。
防潮性:
EIA RS - 198 ,方法204 ,条件A ( 10次循环不
施加的电压。 )
帖子测试极限25°C为:
电容量变化:
C0G ( £ 200V ) - + 3 %或电容是0.25 pF ,以较高者为准。
C0G ( ³ 500V ) - + 3 %或0.50pF ,以较大者为准。
X7R - 初始值+ 20 % ( 2 )
Z5U - + 30%的初始值(2)
耗散因数:
C0G - 0.25 %最大
X7R - 3.0 %最大
Z5U - 4.0 %最大
绝缘电阻:
C0G - 10K兆欧或100兆欧X μF ,以较低者为准。
£500V
测试@额定电压,
³1kV
测试@ 500V 。
X7R - 10K兆欧或100兆欧X μF ,以较低者为准。
³500V
测试@额定电压, >1kV测试@ 500V 。
Z5U - 1K兆欧或100兆欧X μF ,以较低者为准。
热冲击:
EIA RS - 198 ,方法202 ,条件B ( C0G & X7R : -55°C至
+ 125 ° C) ;条件A ( Z5U : -55°C至85°C )
温度特性:
C0G - 0 ± 30 PPM /°C,在 - 55 ° C至+ 125°C ( 1 )
X7R - ± 15% - 55 ° C至+ 125°C
Z5U - + 22 % / -56 %,从+ 10 ° C至+ 85°C
电容容差:
C0G - ±值为0.5pF , ±1% , ±2% , ±5% ,±10%
X7R - ±10% , ± 20 %,+ 80 %/ 20% , + 100% / -0 %
Z5U - ±20% , + 80% / 20%
结构:
环氧树脂封装 - 符合UL的阻燃测试要求
标准94V-0 。
高温焊锡 - 符合EIA RS - 198 ,方法302 ,
条件B (260℃ ,10秒)
导线材料:
100 %雾锡(Sn ),镍( Ni)的下板和钢芯。
可焊性:
EIA RS - 198 ,方法301 ,焊锡温度: 230℃ ± 5 ℃。
Dwell time in solder = 7 ± �½ seconds.
终端强度:
EIA RS - 198 ,方法303 ,条件A ( 2.2千克)
电动
电容@ 25 ° C:
在规定的公差和测试条件。
C0G - > 1000pF的1.0 VRMS @ 1 kHz的
£
1000pF的1.0 VRMS @ 1兆赫
X7R - 1.0 VRMS @ 1 kHz的
Z5U - 1.0 VRMS @ 1 kHz的
耗散因数@ 25 ° C:
相同的试验条件下的电容。
C0G - 0.15 %最大
X7R - 2.5 %最大
Z5U - 4.0 %最大
绝缘电阻@ 25 ° C:
EIA RS - 198 ,方法104 ,条件A <1kV
C0G - 10万兆欧或1000兆欧X μF ,以较低者为准。
£500V
测试@额定电压,
³1kV
测试@ 500V
X7R - 10万兆欧或1000兆欧X μF ,以较低者为准。
£500V
测试@额定电压,
³1kV
测试@ 500V
Z5U - 10K兆欧或1000兆欧X μF ,以较低者为准。
绝缘耐电压:
EIA RS - 198 ,方法103
£200V
测试@额定电压的250 %,持续5秒钟,电流
限制至50mA 。
500V测试@额定电压的150 %,持续5秒,电流
限制至50mA 。
³1000V
测试@额定电压的120 %,持续5秒钟,电流
限制至50mA 。
(1)
(2)
53 PPM -30 PPM /°C,在+ 25 ° C到-55°C , + 60 PPM以下
10pF.
X7R和Z5U电介质表现出老化等特点; there-
前,强烈建议电容来deaged 2
在150℃下小时,并稳定在室温下搅拌48
电容测量时间之前作出。
4
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