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CDR32BP201B3W4 陶瓷芯片电容 (CERAMIC CHIP CAPACITORS)
.型号:   CDR32BP201B3W4
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描述: 陶瓷芯片电容
CERAMIC CHIP CAPACITORS
文件大小 :   2100 K    
页数 : 30 页
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品牌   KEMET [ KEMET CORPORATION ]
购买 :   
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100%
陶瓷芯片电容
介绍
陶瓷芯片包括制定陶瓷
已被加工成薄的介电材料
层,穿插交替的金属电极
暴露在叠层结构的相对边缘。
整个结构,然后在高温下烧结
生产的单片模块,它提供高电容
在一个小的物理体积tance值。烧成后,连续的
导电的端子被施加到的相对端
芯片,使与暴露的电极接触。
标准终止端使用镍阻挡层和
锡overplate提供优良的可焊性的
客户。
KEMET多层陶瓷片式电容器
在专为芯片capa-设计工厂生产
citor制造。该工艺具有高度
机械化以及通过原始精确控制的
材料和工艺条件。制造业是
通过广泛的技术,工程为辅
和质量保证计划。
KEMET陶瓷贴片电容提供了
5最流行的温度特性。这些
由电子电子实业协会指定
(EIA)的超稳定C0G (也称NP0 ,
军用版BP ) ,稳定的X7R (军事BX或
BR),所述稳定的X5R ,和通用Z5U和
Y5V 。大范围大小可供选择。 KEMET多
多层陶瓷片式电容器可在KEMET的
磁带和卷轴包装,具有自动兼容
贴装设备。大容量纸盒包装也
可用( 0805,0603和0402只),为那些取
放机需要使用它。
表1 - EIA温度特性
代码为I类电介质
显著图
温度
系数
PPM元
摄氏度
0.0
0.3
0.9
1.0
1.5
符号
C
B
A
M
P
乘数的应用
温度
系数
PLIER
-1
-10
-100
-1000
-10000
符号
0
1
2
3
4
宽容
温度
系数
PPM元
摄氏度
±
30
±
60
±
120
±
250
±
500
符号
G
H
J
K
L
KEMET供应C0G特性。
对于II类和III类电介质(包括X7R ,
X5R , Z5U & Y5V ) ,第一符号表示
在工作温度范围的下限,则
第二指示操作的上限
温度范围,并且第三指示
允许通过的最大电容变化
工作温度范围。 EIA类型名称
适用于II级化码和三电介质是
如表2所示。
表2 - EIA温度特性代码
II类& III电介质
低温
等级
摄氏
+10C
-30C
-55C
符号
Z
Y
X
高温
等级
摄氏
+45C
+65C
+85C
+105C
+125C
+150C
+200C
符号
2
4
5
6
7
8
9
最大电容
百分
±
1.0%
±
1.5%
±
2.2%
±
3.3%
±
4.7%
±
7.5%
±
10.0%
±
15.0%
±
22.0%
+ 22/-33%
+22/-56%
+22/-82%
符号
A
B
C
D
E
F
P
R
S
T
U
V
EIA
II
II
II
II
II
II
II
II
III
III
III
III
KEMET供应X7R , X5R , Z5U和Y5V特性。
3.
4.
电气特性
1.
工作电压:
指的是最大连续直流工作
电压在整个工作允许
温度范围。多层的可靠性
陶瓷电容器不是非常敏感
电压和电压的上述简要应用
额定不会导致立即出现故障。不过,
可靠性将通过持续的接触会降低
在电压高于额定。
温度特性:
在环评分类,不同的温度
TURE特性由一个三符号标识
代码;例如: C0G , X7R , X5R , Z5U和Y5V 。
对于I类温度补偿
电介质(包括C0G ) ,第一符号desig-
止数据的温度显著数字
每摄氏度系数(PPM),所述第二
指定乘法器被应用,并且
第三指定每个公差的PPM
摄氏度。 EIA温度特性
对I类电介质代码如表1所示。
电容容差:
见网页上的表
73-76.
电容:
在规定的公差时,每个测量
表3中。
电容的标准单位是法拉。
对于实际的电容,电容通常是
表示在微法( 10
-6
法拉) ,纳法
(10
-9
法拉) ,或皮法(10
-12
法拉) 。标准
测定条件列于表3 -
指定电气限制。
像所有其他的实际电容,多层
陶瓷电容器也有阻力,
电感。对于单一的简化原理图
频率的等效电路示于图1 。
在高频更复杂的模型适用 -
看到KEMET SPICE模型在www.kemet.com的
详细信息。
2.
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陶瓷表面贴装
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