IRFR2407TRL [KERSEMI]

HEXFET Power MOSFET; HEXFET功率MOSFET
IRFR2407TRL
元器件型号: IRFR2407TRL
生产厂家: Kersemi Electronic Co., Ltd.    Kersemi Electronic Co., Ltd.
描述和应用:

HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET

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型号参数:IRFR2407TRL参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
零件包装代码TO-252AA
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.25
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)130 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)42 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.026 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)170 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON