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SMD型
N和P通道12 -V (D -S )的MOSFET
KI7540DP
IC
IC
特点
TrenchFET功率MOSFET
PWM优化的高效率
绝对最大额定值牛逼
A
= 25
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150 )* T
A
= 25
T
A
= 70
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导) *
最大功率耗散*
T
A
= 25
T
A
= 70
工作结存储温度范围
*表面装在1" X 1" FR4板。
T
J
, T
英镑
I
DM
I
S
P
D
2.9
3.5
2.2
1.1
1.4
0.9
-55到150
符号
V
DS
V
GS
I
D
11.8
9.5
N沟道
10秒]
稳定状态
12
8
7.6
6.1
20
-2.9
3.5
2.2
-1.1
1.4
0.9
-8.9
-7.1
P沟道
10秒]
稳定状态
-12
8
-5.7
-4.6
V
V
A
A
A
A
W
W
单位
热电阻额定值
参数
t
10秒
符号
N沟道
典型值
最大结点到环境*
最大结至外壳(漏)
R
thJA
R
thJC
26
60
3.9
最大
35
85
5.5
P沟道
典型值
26
60
3.9
最大
35
85
5.5
/W
单位
稳定状态
稳定状态
*表面装在1" X 1" FR4板。
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1
SMD型
KI7540DP
电气特性T
J
= 25
参数
栅极阈值电压
门体漏
符号
V
GS ( TH)
I
GSS
Testconditons
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
V
DS
= 0 V V
GS
= 8 V
V
DS
= 0 V V
GS
= 8 V
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55
V
DS
= -20V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55
在国家流失CURRENTA
I
D(上)
V
DS
V
DS
5 V, V
GS
= 4.5 V
-5 V, V
GS
= -4.5 V
A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
V
DS
= -6 V, V
GS
= -4.5 V,I
D
= -8.9A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
V
DD
= 6 V ,R
L
= 6
I
D
= 1A ,V
= 4.5V ,R
g
= 6
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
P沟道
V
DD
= -6 V ,R
L
= 6
下降时间
源漏反向恢复
时间
*脉冲测试;脉冲宽度
t
f
t
rr
I
D
= -1 A,V
= -4.5 V ,R
g
= 6
I
F
= 2.9 A,D
i
/d
t
= 100 A/
I
F
= -2.9 A,D
i
/d
t
= 100 A/
s
s
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
20
-20
0.014 0.017
0.026 0.032
0.020 0.025
0.043 0.053
32
23
0.77
-0.8
11.5
13
3.2
4.1
2.5
1.9
1.7
3.5
30
35
50
42
60
54
25
17
40
40
45
55
75
65
90
85
40
30
80
80
1.2
-1.2
17
20
0.6
-0.6
典型值
最大
1.5
-1.5
100
100
1
-1
5
-5
IC
IC
单位
V
nA
A
A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 11.8A
漏源通态电阻*
r
DS ( ON)
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -8.9A
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 9.8A
V
GS
= -2.5 V,I
D
= -6.9A
正向跨导*
二极管的正向电压*
总栅极电荷
门源电荷
闸漏极电荷
栅极电阻
启动时间
上升时间
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D(上)
t
r
V
DS
= 5 V,I
D
= 11.8A
V
DS
= -5 V,I
D
= -8.9A
I
S
= 2.9A ,V
GS
= 0 V
I
S
= -2.9A ,V
GS
= 0 V
N沟道
V
DS
= 6 V, V
GS
= 4.5V ,我
D
= 11.8A
S
V
nC
关闭延迟时间
t
D(关闭)
ns
300秒,占空比2%。
2
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