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SMD型
MOSFET
双N沟道增强型场效应晶体管
KI8205A
TSSOP-8
单位:mm
特点
占地面积小,因小而薄的封装
低漏源导通电阻:
r
DS ( ON)
= 0.025
r
DS ( ON)
= 0.029
@ V
GS
= 4.5 V
最大
@ V
GS
=
2.5V最大
G
2
S
2
S
2
D
G
1
S
1
S
1
D
TSSOP-8
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25
T
A
= 70
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
Jumction温度和储存温度
R
R
JA
JC
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
等级
20
10
6.5
20
2.0
1.6
78
40
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
/W
/W
T
j.
T
英镑
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1
SMD型
KI8205A
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
栅极阈值电压
漏源导通电阻*
通态漏电流*
正向跨导*
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
最大连续漏源二极管
正向电流
二极管的正向电压*
*脉冲测试;脉冲宽度
300
S,占空比
符号
V
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
I
D(上)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
I
S
V
SD
2 %.
I
S
= 1.7 A,V
GS
= 0 V
V
DD
= 10V
I
D
= 1A ,V
GS
= 4.5V ,R
G
= 6
V
DS
= 10V , V
GS
= 4.5V ,我
D
= 3A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V , F = 1.0 MHz的
Testconditons
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
V
DS
= 20V , V
GS
= 0V
V
DS
= 20V , V
GS
= 0V ,T
J
=55
V
DS
= 0V , V
GS
=
8V
0.5
A
20
MOSFET
典型值
最大
单位
V
1
5
100
1
1.5
uA
nA
V
Ù
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6.5A
V
GS
= 2.5V ,我
D
= 5.4A
V
DS
= 5V , V
GS
= 4.5V
V
DS
= 5V ,我
D
=3A
0.020 0.025
0.018 0.029
15
11
700
175
85
7
1.2
1.9
8
10
18
5
16
18
29
10
1.3
0.65
1.2
10
S
pF
pF
pF
nC
ns
A
V
2
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