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SA1005C0G104D100NBE  SA100  SA06N09  SA10  SA09  SA1005C0G104C6R3NRA  SA1005C0G104B100NRB  SA100  SA06L12  SA0603X7R104D6R3NBE  
1N5385B 5瓦齐纳二极管5.1 〜200伏 (5 Watt Zener Diode 5.1 to 200 Volts)
.型号:   1N5385B
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描述: 5瓦齐纳二极管5.1 〜200伏
5 Watt Zener Diode 5.1 to 200 Volts
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品牌   KISEMICONDUCTOR [ Kwang Myoung I.S. CO.,LTD ]
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100%
1N5338B THRU 1N5388B
3.浪涌电流( Ir)的 - 浪涌电流被指定为允许的最大峰值,非经常性的矩形波
电流脉冲宽度为8.3毫秒, PW 。在图5中给出的数据可以被用来找到最大浪涌
目前对于单方波1毫秒, 1000毫秒之间的脉冲宽度绘制的适用点
对数纸。这样的例子,使用6.8V ,
is
在图6所示的安装
联系座落在注3中指定(T
A
=25
).
4.电压调节( VZ)的 - 是电压调节试验条件如下: Vz的测量是
于10 %,然后在电特性表中列出的IZ最大值的50%。测试电流的
同为5%和10 %的容差的设备。测试电流时druation每个Vz的测量为40 +/- 10毫秒。
(T
A
= 25℃) 。安装触头位于在注2中指定。
5.最大稳压电流(I
ZM
) - 中所示的最大电流是基于一个最大电压
5 %式单位。因此,它仅适用于在B后缀的设备。实际我
ZM
对于任何设备可能不超过
5瓦的设备的实际Vz的分割值。牛逼
L
= 75Cat最大从装置主体。
应用指南:
因为从一个给定的齐纳可用的实际电压
二极管是温度依赖性的,以确定它是必要
在任何一组的操作条件下的结温
为了计算其值。下面的过程是
推荐:
铅的温度,T
L
,应当从确定:
T
L
=
q
LA
P
D
+ T
A
对于最坏情况设计,预计使用我的限制
Z
,限制
P的
D
和T的极端
J
( DT
J
)可以被估计。
改变电压,V
Z
然后,可以得到:
DV
=
q
VZ
DT
J
q
LA
是引到环境的热阻和P
D
功耗。
结温,T
J
中,可以得到:
T
J
= T
L
+
DT
JL
DT
JL
是上述引线的增加的结温
温度,并且可以发现,从图4中的列车
功率脉冲或从图1为直流电源。
DT
JL
=
q
JL
P
D
q
VZ
中,齐纳电压的温度系数,是发现
从图2和图3 。
在高功率脉冲工作时,齐纳电压
随时间而变化,并且也可以由显著影响
齐纳阻力。为了获得最佳的调节,保持电流
游览尽可能低。
图4中的数据不应被用于计算浪涌
能力。浪涌限制是在图5中它们是给定的
会比只考虑结预期低
温度,因为电流拥挤效应引起的温度
是非常高导致设备的小斑点
降解应的图5的限制被超过。
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