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FTR-LYAA048YSK  FTR-LYAA048ENIL  FTR-LYAA060YNIL  FTR-LYAA048ESK  FTR-LYAA060ENIL  FTR-LYAA060VNIL  FTR-LYAA048VNIL  FTR-LYAA060YSK  FTR-LYAA060ESK  FTR-LYAA048VSK  
GAL20V8C-7LJ 高性能E2CMOS PLD通用阵列Logic⑩ (High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic⑩)
.型号:   GAL20V8C-7LJ
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描述: 高性能E2CMOS PLD通用阵列Logic⑩
High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic⑩
文件大小 :   578 K    
页数 : 25 页
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品牌   LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
稀土
导致-F GE
P A C K​​一纳秒
宾得嘞!
b
AVAILA
GAL20V8
高性能ê
2
CMOS PLD
通用阵列逻辑™
特点
•高性能ê
2
CMOS
®
技术
- 5 ns的最大传播延迟
- 最大频率= 166 MHz的
- 4 ns最大时钟输入到数据输出
- UltraMOS
®
先进的CMOS技术
• 50 %至75 %降低功耗双极性
- 75毫安的Icc典型的低功耗器件
- 45毫安典型的Icc上季度电力设备
• ACTIVE PULL -UPS上的所有引脚
• E
2
电池技术
- 可重构逻辑
- 可编程细胞
- 100%测试/ 100 %的收益率
- 高速电擦除( <100ms )
- 20年的数据保存
•八个输出逻辑宏单元
- 最大的灵活性,复杂的逻辑设计
- 可编程输出极性
- 还模拟24针PAL
®
与全功能设备/
熔丝图/参数的兼容性
•下载所有的寄存器和上电复位
- 100 %的功能可测性
•应用程序包括:
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度提升
•用于识别电子签名
•无铅封装选项
功能框图
I / CLK
I
I
IMUX
CLK
8
OLMC
I
8
I
OLMC
I / O / Q
选择设备已经停产。
请参阅订购信息部分产品的地位。
I / O / Q
可编程
与阵
(64 X 40)
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I
8
I / O / Q
OE
I / O / Q
I
I
OLMC
I
IMUX
I / OE
描述
该GAL20V8C ,在5ns的最大传播延迟时间,COM的
bines高性能CMOS工艺与电Eras-
能(E
2
)浮栅技术,可提供最高速度
表现在PLD市场上。高速擦写次数
( <100ms )使得器件能够被快速有效重编程
计算好。
通用架构提供了最大的设计灵活性
使输出逻辑宏单元( OLMC )被配置
该用户。在许多体系结构的配置的一个重要的子集
系统蒸发散可能与GAL20V8是列出的PAL结构
在宏小区描述部分的表中。 GAL20V8器件
能够模拟任何一种PAL结构与充满
功能/熔丝图/参数的兼容性。
独特的测试电路和可编程细胞允许完全的交流,
直流电,并且在制造过程中进行功能测试。其结果是,晶格
安森美半导体提供100%的现场可编程性和功能 -
先进而精湛的所有GAL的产品。此外, 100擦除/写周期,
在超过20年的数据保存指定。
引脚配置
DIP
PLCC
I / CLK
I / CLK
VCC
NC
I / O / Q
1
24
VCC
I
I
I
I / O / Q
I / O / Q
4
I
I
I
NC
I
I
I
11
12
9
7
5
2
28
26
25
I
I
I
I
I
I
I
I
GND
12
6
GAL
20V8
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
18
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I
13
I / OE
I
I
I
GAL20V8
顶视图
23
I / O / Q
NC
21
I / O / Q
I / O / Q
14
16
19
18
I / O / Q
I
I
GND
NC
I / OE
I
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更改,恕不另行通知。
I / O / Q
莱迪思半导体股份有限公司, 5555东北摩尔的Ct 。 ,俄勒冈州希尔斯伯勒97124 , USA
电话: ( 503 ) 268-8000 ; 1-800- LATTICE ;传真( 503 ) 268-8556 ; http://www.latticesemi.com
2006年8月
20v8_07
1
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