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GAL22LV10C-7LJ 低压E2CMOS PLD通用阵列Logic⑩ (Low Voltage E2CMOS PLD Generic Array Logic⑩)
.型号:   GAL22LV10C-7LJ
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描述: 低压E2CMOS PLD通用阵列Logic⑩
Low Voltage E2CMOS PLD Generic Array Logic⑩
文件大小 :   218 K    
页数 : 18 页
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品牌   LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
特点
托尔5V
INP咆哮
在22Luts
V10
D
GAL22LV10
低电压E
2
CMOS PLD
通用阵列逻辑™
功能框图
I / CLK
RESET
•高性能ê
2
CMOS
®
技术
- 4 ns最大传播延迟
- 最大频率= 250 MHz的
- 3 ns最大时钟输入到数据输出
- UltraMOS
®
先进的CMOS技术
• 3.3V低电压22V10建筑
- JEDEC兼容3.3V接口标准
- 5V兼容输入
- I / O接口方面采用标准5V TTL器件
(GAL22LV10C)
• ACTIVE PULL -UPS上的所有引脚( GAL22LV10D )
• E
2
电池技术
- 可重构逻辑
- 可编程细胞
- 100%测试/ 100 %的收益率
- 高速电擦除( <100ms )
- 20年的数据保存
• TEN输出逻辑宏单元
- 最大的灵活性,复杂的逻辑设计
- 可编程输出极性
•下载所有的寄存器和上电复位
- 100 %的功能可测性
•应用程序包括:
- 胶逻辑的3.3V系统
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度提升
•用于识别电子签名
描述
该GAL22LV10D ,在4毫微秒的最大传播延迟时间,
提供了最高速度性能的PLD提供
市场。该GAL22LV10C可以在3.3V和5V接口
信号电平。该GAL22LV10使用莱迪思的制造
安森美半导体先进3.3V ê
2
CMOS工艺制造,其中的COM
bines与CMOS电可擦除(E
2
)浮栅技
术。高速擦写次数( <100ms )使器件可以是
快速而有效地重新编程。
通用架构提供了最大的设计灵活性
使输出逻辑宏单元( OLMC )被配置
该用户。
独特的测试电路和可编程细胞允许完成
交流,直流,并在制造过程中进行功能测试。其结果,
莱迪思半导体公司提供了100%的现场可编程性和
所有GAL产品的功能。此外, 100擦除/写
周期和数据保留超过20年的指定。
8
OLMC
I / O / Q
I
10
OLMC
I
12
I / O / Q
I
OLMC
I / O / Q
可编程
与阵
(132X44)
14
OLMC
I
I / O / Q
16
OLMC
I
I / O / Q
I
16
OLMC
I / O / Q
I
14
OLMC
I / O / Q
I
12
OLMC
I / O / Q
I
10
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
预设
引脚配置
PLCC
I / CLK
I / O / Q
VCC
NC
I / O / Q
26
25
I / O / Q
I / O / Q
7
23
I
4
I
I
I
NC
I
I
I
11
12
I
9
5
I
2
28
GAL22LV10
顶视图
I / O / Q
NC
21
I / O / Q
I / O / Q
14
I
GND
NC
16
I
I / O / Q
19
18
I / O / Q
I / O / Q
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更改,恕不另行通知。
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电话: ( 503 ) 681-0118 ; 1-888- ISP- PLDS ;传真( 503 ) 681-3037 ; http://www.latticesemi.com
1997年7月
22lv10_03
1
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