GM71C4400DLR-60

更新时间:2024-09-18 02:26:11
品牌:LG
描述:1,048,576 Words x Bit Organization

GM71C4400DLR-60 概述

1,048,576 Words x Bit Organization 1,048,576字×位组织 DRAM

GM71C4400DLR-60 规格参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G20
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP20/26,.36封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024反向引出线:YES
自我刷新:NO最大待机电流:0.0001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

GM71C4400DLR-60 数据手册

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