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GM71C4403CJ-70 1,048,576字× 4BIT CMOS动态RAM (1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM)
.型号:   GM71C4403CJ-70
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描述: 1,048,576字× 4BIT CMOS动态RAM
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM
文件大小 :   112 K    
页数 : 10 页
Logo:   
品牌   LG [ LG SEMICON CO.,LTD. ]
购买 :   
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100%
LG的Semicon有限公司。
描述
该GM71C4403C是新一代动态
RAM举办1,048,576字× 4位。
GM71C4403C实现更高密度,更高的
性能和各种功能,利用
先进的CMOS工艺技术。该
GM71C4403C提供了扩展数据输出( EDO )
模式作为一种高速接入方式。复
地址输入允许GM71C4403C是
封装在一个标准300MIL 20 ( 26 )脚胶
SOJ和标准300MIL 20 ( 26 )引脚塑料TSOP
II 。封装尺寸提供高系统位
密度,并且与广泛使用的兼容
自动化测试和插入设备。系统
导向功能包括单电源供电
5V +/- 10 %的容差,直接连接能力
高性能逻辑系列,如
肖特基TTL 。
GM71C4403C
1,048,576字× 4BIT
CMOS动态RAM
特点
* 1,048,576字× 4位组织
*扩展数据输出模式功能
*单电源( 5V +/- 10 % )
*快速存取时间及放大器;周期
(单位:纳秒)
t
RAC
GM71C4403C-60
GM71C4403C-70
GM71C4403C-80
60
70
80
t
CAC
15
18
20
t
RC
104
124
144
t
HPC
25
30
35
*低功耗
主动:五百五十零分之六百零五/ 495mW ( MAX)
待机: 5.5MW ( CMOS电平: MAX )
* RAS只刷新,刷新RAS CAS之前,
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 1024刷新周期/ 16ms的
引脚配置
20 ( 26 ) SOJ
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
20
19
18
17
16
20 ( 26 ) TSOP II
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
20
19
18
17
16
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
20
19
18
17
16
1
2
3
4
5
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A8
A7
A6
A5
A4
15
14
13
12
11
6
7
8
9
10
A0
A1
A2
A3
V
CC
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1
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