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LTZ1000/LTZ1000A
超精密基准
特点
n
n
n
n
n
n
描述
该LTZ1000和LTZ1000A是超稳定的温度
可控引用。他们的目的是提供7V
与0.05PPM的温度漂移输出/ ° C,约
1.2µV
P-P
的2μV / √kHr的噪声和长期稳定性。
包括在芯片上是一个地下稳压基准,
加热电阻器对温度稳定,和一个温
perature感应晶体管。外部电路是用于
设置工作电流和温度稳定
参考。这允许最大的灵活性和最佳的长期
长期稳定性和噪声。
该LTZ1000和LTZ1000A引用可以提供苏
perior性能较旧的设备,如LM199 ,
前提是用户实现了加热器控制和
妥善管理的热布局。为了简化热
绝缘性, LTZ1000A采用了专有的芯片连接
方法是提供显著较高的耐热性
比LTZ1000 。
L,
线性LT , LTC , LTM ,凌特和线性标识是注册商标
技术公司。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
n
n
1.2µV
P-P
噪音
2μV / √kHr长期稳定性
非常低滞后
0.05PPM /°C的漂移
温度稳定
400 ° C / W热阻LTZ1000A减少
绝缘要求
特定网络版为-55 ° C至125°C温度范围
采用TO -99封装
应用
n
n
n
n
n
电压表
校准器
标准单元
低噪声RF振荡器
典型用途
低噪声基准
LTZ1000
V
IN
≥ 10V
产量
30k
3
7
6
1N4148
( PPM )
0
2
长期稳定性
+
LT
®
1006
2
4
120
0.02µF
–2
1000 TA01
0
10
20
30
的典型器件不时= 0长期稳定性
WITH NO预处理或老化
1000 TA01b
1000afd
1
LTZ1000/LTZ1000A
绝对最大额定值
(注1 )
引脚配置
底部视图
8
7
Q2
6
Q1
5
4
H8包
TO-5金属的CAN
T
JMAX
= 150°C,
LTZ1000CH :
θ
JA
= 80 ° C / W
LTZ1000ACH :
θ
JA
= 400 ° C / W
7V
3
1
加热器基板............................................... 35V ....
集电极发射极击穿Q1 ............................... 15V
集电极发射极击穿Q2 ............................... 35V
发射基地反向偏置.......................................... 2V
工作温度范围.........- 55℃ ≤牛逼
A
≤ 125°C
存储温度范围............- 65℃ ≤牛逼
A
≤ 150°C
基板正向偏压0.1V ............................................
2
订购信息
无铅完成
LTZ1000ACH#PBF
LTZ1000CH#PBF
含铅涂层
LTZ1000ACH
LTZ1000CH
最热
LTZ1000ACH
LTZ1000CH
最热
LTZ1000ACH
LTZ1000CH
包装说明
8引脚TO- 5金属罐( 0.200英寸PCD )
8引脚TO- 5金属罐( 0.200英寸PCD )
包装说明
8引脚TO- 5金属罐( 0.200英寸PCD )
8引脚TO- 5金属罐( 0.200英寸PCD )
特定网络版温度范围
-55 ° C至125°C
-55 ° C至125°C
特定网络版温度范围
-55 ° C至125°C
-55 ° C至125°C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
有关无铅零件标记的更多信息,请访问:
http://www.linear.com/leadfree/
此产品只在托盘提供。欲了解更多信息,请访问:
http://www.linear.com/packaging/
电气特性
参数
齐纳电压
齐纳变化与电流
齐纳二极管的泄漏电流
齐纳噪声
加热器电阻
加热器击穿电压
晶体管Q1击穿
晶体管Q2击穿
Q1 , Q2电流增益
热阻
长期稳定性
条件
(注2 )
7.0
6.9
典型值
7.2
7.15
80
20
1.2
200
35
15
35
80
时间= 5分钟
时间= 5分钟
300
20
50
200
80
400
2
450
° C / W
° C / W
μV√kHr
最大
7.5
7.45
240
200
2
420
单位
V
V
mV
µA
µV
P-P
Ω
V
V
V
l
Z
= 5毫安, (V
Z
+ VBE
Q1
) I
Q1
= 100µA
l
Z
= 1mA时, (V
Z
+ VBE
Q1
) I
Q1
= 100µA
1毫安 - 我
Z
< 5毫安
V
Z
= 5V
l
Z
= 5毫安,为0.1Hz < ˚F <为10Hz
1
Q1
= 100µA
I
L
≤ 100µA
I
C
= 10μA , LVCEO
I
C
= 10μA , LVCEO
I
C
= 100µA
LTZ1000
LTZ1000A
中T = 65℃
注1 :
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 :
所有的测试是在25 ℃。脉冲测试用于LTZ1000A来
最大限度地减少测试过程中温度上升。 LTZ1000和LTZ1000A设备
在-55°C至125 ° C的QA测试。
1000afd
2
LTZ1000/LTZ1000A
典型性能特性
齐纳电压随电流
100
90
齐纳电压噪声(NV / √Hz的)
齐纳电压的变化(毫伏)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
齐纳开尔文
感觉到Q1
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
齐纳电流(毫安)
1000 G01
齐纳电压噪声谱
500
450
齐纳噪声
I
Z
= 4毫安
齐纳ALONE
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.1
齐纳电流= 4毫安
1
10
频率(Hz)
100
齐纳电流= 0.5毫安
齐纳电压噪声( 2μV / D)
I
Z
- 0.5毫安
0
10
20
30
40
时间(秒)
50
60
1000 G02
1000 G03
模具温度上升
VS加热器电源
0.8
0.7
加热器功率( W)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 125
芯片温度高于环境温度( ° C)
1000 G04
模具温度对时间
125
LTZ1000A
片芯温升( ° C)
加热器功率= 0.3W
125
模具温度上升对时间
LTZ1000
LTZ1000
片芯温升( ° C)
100
100
75
加热器功率= 0.2W
75
加热器功率= 0.7W
加热器功率= 0.5W
50
50
LTZ1000A
25
加热器功率= 0.1W
25
加热器功率= 0.3W
0
0.1
1
10
100
时间(秒)
1000
0
0.1
1
10
100
时间(秒)
1000 G06
1000
1000 G05
引脚功能
引脚1 :
加热器阳性。必须有较高的正值
比2脚和4脚。
引脚2 :
加热器负。必须有较高的正值
比针脚4.必须具有相同或更低的电势比针脚1 。
3脚:
齐纳阳性。必须有较高的正值
比4脚。
引脚4 :
基板和稳压负。必须有一个更高的
比针脚7.正值如果Q1是Zenered (约7V )一
在公测的永久退化将导致。
5脚:
温度补偿晶体管集电极。
引脚6 :
温度传感晶体管的基极。如果基
发射结Zenered (约7V ) ,晶体管会
遭受永久性的测试版降级。
引脚7 :
发射器的感应和补偿晶体管。
引脚8 :
集电极感应晶体管。
1000afd
3
LTZ1000/LTZ1000A
框图
1
8
3
5
*
Q2
Q1
*
*
2
6
4
7
1000 TA07
*衬底器件,不要正向偏压
应用信息
LTZ1000和LTZ1000A能够提供终极的
电压基准的表现。更好的温度漂移
大于0.03ppm / °的量级C和长期稳定性
每月1μV可以实现。约0.15ppm噪声
也可以得到。这样的表现是在牺牲
电路的复杂性,由于外部影响可以很容易地
导致超过1ppm的输出电压的变化。
热电偶的影响是最严重的问题之一,
可以给很多ppm的表观漂移/°C,以及事业
低频噪声。在TO- 5的可伐输入导线
当连接到铜包形式的热电偶
PC板。这些热电偶产生的输出
35μV / ℃。它是强制性的,以保持齐纳和晶体管
导致在相同的温度,否则1ppm的至5ppm的
在输出电压中的变化可以容易地从预期
这些热电偶。
气流穿过引线吹也可以引起小
温度的变化,特别是因为包是
加热。这看起来就像1ppm的低频5ppm的
发生过若干分钟内的噪声。为了获得最好的
结果,该装置应位于一个封闭的区域
并且还有来自气流屏蔽。
当然,任何温度梯度外部产生,
从电源说,横跨不应出现
关键电路。引线的晶体管和齐纳
应连接到相同大小的PC轨迹均衡
的热损失,并维持在类似的温度。
PC板的底部应采用屏蔽
对气流为好。
电阻器,以及具有电阻温度coef-
科幻cients ,可以产生热电偶效应。某些类型的
电阻器可以产生数百热电偶的毫伏
情侣电压。在这些电阻热电偶效应
也会干扰的输出电压。线绕
电阻器通常具有最低的热电偶电压
而锡氧化物型电阻具有极高的热电偶
电压。薄膜电阻,特别是威世精密液膜
电阻器,可以具有较低的热电偶电压。
普通的电路试验板的技术还不够好
以得到稳定的输出电压与LTZ1000家族
设备。为模拟板试验,因此建议小
印刷电路板可以由使用该参考文献中,
扩增fi er和线绕电阻。必须小心,以
确保加热器电流不溢流通过相同的
接地线为基准的负侧(发射极
Q1的) 。加热器电流的变化可能会增加,或
由,参考电压引起的错误与减
温度。采用低电阻单点接地
布线建议。
1000afd
4
LTZ1000/LTZ1000A
应用信息
设定控制温度
控制晶体管的发射极 - 基极电压设置
稳定温度为LTZ1000 。随着价值观
在应用中给定的,温度通常为60℃。
这提供了裕量的15℃以上的最高环境
为45℃ ,例如。在发射极 - 基极产生的变化
电压通常会造成大约± 10℃的变化。自
大约为2mV / ℃,是在发射极 - 基极电压的变化
很容易预测,其他温度容易设置。
因为较高的温度加速老化,降低
长期稳定性,具有一致的最低温度
的操作环境应该被使用。该LTZ1000A
应设置约10℃高于LTZ1000 。这
是因为在正常工作的功率耗散
LTZ1000A导致约10 ℃的温度上升。的
当然两种类型的设备应该从绝缘
环境。热身几分钟是平常。
如果不需要极端的精度或
在LTZ1000的低噪声,线性技术使得
宽线的电压基准。像LT1021器件
可以提供漂移低至为2ppm / ℃,例如设备
该LM399A提供1PPM /的漂移℃。只有应用
需要非常低噪声,低漂移与时间系统蒸发散
在LTZ1000应该使用这个设备。请参阅应用笔记
AN- 82和AN- 86的进一步信息。咨询直线
技术应用部门更多的帮助。
典型应用
负参考电压
齐纳+ SENSE
V
+
15V
GND
0.1µF
1
2N3904
1k
7
LT1013
R4
13k
R3
70k
3
6
10k
1M
2
1N4148
0.1µF
400k*
R1
120
4
7
2
8
LT1013
1
R2
70k
+
5
8
5
+
3
R5
1k
4
1N4148
齐纳 - FORCE
齐纳 - SENSE
0.022µF
*提供温度补偿,删除LTZ1000A
近似​​变化对参考电压一个100ppm的变化对电阻值:
R1
R2
R3
R4 / R5比
为100ppm =
∆R(
)
0.012
7
7
∆R
= 0.01%
∆V
Z
1ppm
0.3ppm
0.2ppm
1ppm
V
≥ 10V
A1和A2贡献较比输出漂移在50° C温度范围内2μV
1000 TA02
1000afd
5
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