元器件型号: | P6SMBJ200CAT1 |
生产厂家: | LITTELFUSE |
描述和应用: | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, 局域网 光电二极管 |
PDF文件: | 总3页 (文件大小:47K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:P6SMBJ200CAT1参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | LITTELFUSE INC |
包装说明 | R-PDSO-C2 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.50 |
风险等级 | 5.68 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | LOW INDUCTANCE, UL RECOGNIZED |
最大击穿电压 | 210 V |
最小击穿电压 | 190 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-214AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 2 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 600 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性 | BIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | C BEND |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
Base Number Matches | 1 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
局域网 光电二极管