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L
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te
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ck
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O
EC
Fi
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G
ED
IZ
N
63
9
s
#
1
E7
E5
TO-92
*TO-220
隔离
3-lead
COMPAK
TO-202
TO-252
D- PAK
TO-251
V-白
A
K
G
敏感
可控硅
( 0.8 A至10 A)
E5
RoHS指令
概述
该行的Teccor敏感SCR半导体的半波
单向的,门控整流器(SCR可控硅),其
补充的Teccor的电源线​​SCR的。本组
包提供了0.8的收视率到10 A, 200 V到600 V带
12 μA至500 μA门的灵敏度。为在栅极电流
10毫安到50mA范围,请参阅本产品目录中的“可控硅”部分。
的TO -220和TO -92是电隔离的,其中所述壳体
或标签被内部分离,允许使用低成本的组件的
方便的封装技术。
TECCOR的路线SCR的特点玻璃钝化路口
确保长期的设备的可靠性和稳定性参数。
TECCOR的玻璃提供了对结坚固,可靠的屏障
污染。
磁带和卷轴包装可用于TO- 92封装。
有关更多信息,请咨询厂家。
可用于覆盖该数据表的设备的变化
定制设计的应用程序。了解更多,请咨询厂家
信息。
特点
符合RoHS
电气隔离的TO-220封装
高电压能力 - 高达600 V
高浪涌能力 - 高达100 A
玻璃钝化芯片
COMPAK特点
表面贴装封装 - 0.8 A系列
新的小尺寸的三含铅COMPAK包
提供四门的灵敏度
包装在2500压纹载带
设备每卷
可以替代SOT- 223
©2004 Littelfuse公司
晶闸管产品目录
E5 - 1
http://www.littelfuse.com
+1 972-580-7777
敏感的可控硅
数据表
产品型号
非隔离
A
I
T
(1)
V
DRM
&放大器;
V
RRM
I
GT
(2) (12)
(14) (18)
I
DRM
&放大器;
I
RRM
(20) (21)
V
TM
(3) (10)
A
G
A
A
A
G
TYPE
K
G
A
K
A
G
K
K
K
A
G
TO-92
TO-202
TO-251
V-白
COMPAK
TO-252
D- PAK
安培
I
T( RMS )
I
T( AV )
最大
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
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0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
0.8
0.51
1.5
0.95
1.5
0.95
1.5
0.95
4
2.5
4
2.5
4
2.5
4
2.5
4
2.5
4
2.5
4
2.5
4
2.5
4
2.5
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2.5
4
2.5
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2.5
200
400
600
200
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400
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400
600
200
400
600
μAMPS
最大
12
12
12
50
50
50
200
200
200
500
500
500
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200
200
12
12
12
50
50
50
500
500
500
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200
200
200
200
200
200
200
500
500
500
50
50
50
200
200
200
μAMPS
T
C
或T
L
= T
C
或T
L
= T
C
或T
L
=
25 °C
100 °C
110 °C
最大
2
100
2
100
2
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2
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2
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2
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2
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2
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2
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2
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2
100
1
50
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2
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2
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1
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1
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2
100
1
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1
100
1
100
1
100
2
100
2
100
2
100
2
100
2
100
2
100
2
100
2
100
2
100
2
100
2
100
2
100
2
100
最大
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.5
1.5
1.5
2.2
2.2
2.2
2.5
2.5
2.5
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
请参阅“封装尺寸”部分的变化。 (11),
S2S1
S4S1
S6S1
S2S2
S4S2
S6S2
S2S
S4S
S6S
S2S3
S4S3
S6S3
EC103B
EC103D
EC103M
EC103B1
EC103D1
EC103M1
EC103B2
EC103D2
EC103M2
EC103B3
EC103D3
EC103M3
2N5064
2N6565
TCR22-4
TCR22-6
TCR22-8
T106B1
T106D1
T106M1
T107B1
T107D1
T107M1
S2004VS1
S4004VS1
S6004VS1
S2004VS2
S4004VS2
S6004VS2
S2004DS1
S4004DS1
S6004DS1
S2004DS2
S4004DS2
S6004DS2
0.8 A
1.5 A
4A
请参阅“一般注意事项”页E5 - 4和“电气规范注意事项”页上的E5 - 5
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+1 972-580-7777
E5 - 2
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晶闸管产品目录
数据表
敏感的可控硅
.
V
GT
(4) (12) (22)
I
H
(5) (15)
(16) (19)
I
GM
(17)
V
GRM
P
GM
(17)
P
G( AV )
I
TSM
(6) (7) (13)
dv / dt的
的di / dt
t
gt
(8)
t
q
(9)
l
2
t
T
C
或T
L
= T
C
或T
L
= T
C
或T
L
=
毫安
-40 °C
25 °C
110 °C
最大
最大
1.2
0.8
0.2
5
1.2
0.8
0.2
5
1.2
0.8
0.2
5
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
8
1.2
0.8
0.25
8
1.2
0.8
0.25
8
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.2
5
1.2
0.8
0.2
5
1.2
0.8
0.2
5
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
8
1.2
0.8
0.25
8
1.2
0.8
0.25
8
1.2
0.8
0.25
5
1.2
0.8
0.25
5
1
0.8
0.25
5
1
0.8
0.25
5
1
0.8
0.25
5
1
0.8
0.2
5
1
0.8
0.2
5
1
0.8
0.2
5
1
0.8
0.2
6
1
0.8
0.2
6
1
0.8
0.2
6
1
0.8
0.2
4
1
0.8
0.2
4
1
0.8
0.2
4
1
0.8
0.2
6
1
0.8
0.2
6
1
0.8
0.2
6
安培
安培
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1
1
1
1
1
1
1
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1
1
1
1
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1
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
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5
5
5
5
5
5
5
6
6
6
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6
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6
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1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
60/50赫兹
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
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20/16
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20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
20/16
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30/25
30/25
30/25
30/25
30/25
30/25
伏/微秒
20
20
10
25
25
10
30
30
15
40
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20
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10
25
25
10
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20
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25
60
40
30
TYP ( 23 )
50
50
50
50
50
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50
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50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
安/微秒
微秒
典型值
2
2
2
3
3
3
4
4
4
5
5
5
3.5
3.5
3.5
2
2
2
3
3
3
5
5
5
2.2
2.2
3.5
3.5
3.5
4
4
4
5
5
5
3
3
3
4
4
4
微秒
最大
60
60
60
60
60
60
50
50
50
45
45
45
50
50
50
60
60
60
60
60
60
45
45
45
60
60
50
50
50
50
50
50
45
45
45
50
50
50
50
50
50
安培
2
/ SEC
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
3.7
3.7
3.7
3.7
3.7
3.7
8
8
8
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8
请参阅“一般注意事项”页E5 - 4和“电气规范注意事项”页上的E5 - 5
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敏感的可控硅
数据表
产品型号
隔离
A
非隔离
A
A
G
A
K
I
T
(1)
V
DRM
&放大器;
V
RRM
I
GT
(2) (12)
I
DRM
&放大器;
I
RRM
(20) (21)
V
TM
(3) (10)
TYPE
K
A
G
K
A
G
K
A
G
TO-220
TO-202
TO-251
V-白
TO-252
D- PAK
安培
I
T( RMS )
最大
6
6
6
6
6
6
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
10
10
I
T( AV )
最大
3.8
3.8
3.8
3.8
3.8
3.8
5.1
5.1
5.1
5.1
5.1
5.1
6.4
6.4
6.4
6.4
6.4
6.4
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
μAMPS
最大
200
200
200
500
500
500
200
200
200
500
500
500
200
200
200
500
500
500
μAMPS
T
C
=
25 °C
最大
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
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T
C
=
110 °C
最大
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
最大
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
请参阅“封装尺寸”部分的变化。 (11),
S2006LS2
S4006LS2
S6006LS2
S2006LS3
S4006LS3
S6006LS3
S2008LS2
S4008LS2
S6008LS2
S2008LS3
S4008LS3
S6008LS3
S2010LS2
S4010LS2
S6010LS2
S2010LS3
S4010LS3
S6010LS3
S2006FS21
S4006FS21
S6006FS21
S2006FS31
S4006FS31
S6006FS31
S2008FS21
S4008FS21
S6008FS21
S2008FS31
S4008FS31
S6008FS31
S2010FS21
S4010FS21
S6010FS21
S2010FS31
S4010FS31
S6010FS31
S2006VS2
S4006VS2
S6006VS2
S2006VS3
S4006VS3
S6006VS3
S2008VS2
S4008VS2
S6008VS2
S2008VS3
S4008VS3
S6008VS3
S2010VS2
S4010VS2
S6010VS2
S2010VS3
S4010VS3
S6010VS3
S2006DS2
S4006DS2
S6006DS2
S2006DS3
S4006DS3
S6006DS3
S2008DS2
S4008DS2
S6008DS2
S2008DS3
S4008DS3
S6008DS3
S2010DS2
S4010DS2
S6010DS2
S2010DS3
S4010DS3
S6010DS3
6A
8A
10 A
具体的测试条件
的di / dt
- 最大速率的变化的通态电流;我
GT
= 50毫安脉冲
宽度
≥15
用微秒
≤0.1
微秒的上升时间
dv / dt的
- 推进关键断态电压上升率的
I
2
t
- RMS浪涌(非重复)通态电流为8.3 ms周期
对于融合
I
DRM
I
RRM
- 峰值断态电流在V
DRM
和V
RRM
I
GT
- 直流栅极触发电流V
D
= 6 V直流; ř
L
= 100
I
GM
- 峰值栅极电流
I
H
- 直保持电流;最初的通态电流能力= 20 mA
I
T
- 最大通态电流
I
TSM
- 峰值一个周期正向浪涌电流
P
G( AV )
- 门平均功耗
P
GM
- 栅极峰值功耗
t
gt
- 栅控导通时间选通脉冲= 10毫安,最低限度
宽度= 15微秒与上升时间
≤0.1
µs
t
q
- 换向电路关断时间
V
DRM
V
RRM
- 重复峰值断态正向和反向电压
V
GRM
- 峰值反向栅极电压
V
GT
- 直流栅极触发电压; V
D
= 6 V直流; ř
L
= 100
V
TM
- 峰值通态电压
一般注意事项
TECCOR 2N5064和2N6565系列器件符合JEDEC的所有
注册数据。请参阅规格表上的网页E5 - 2
E5 - 3.
的情况下引线温度(
T
C
或T
L
)被测量为示出上
在“封装尺寸”部分外形尺寸图
这个目录。
所有的测量(除了我
GT
)是由一个外部电阻
R
GK
= 1千欧,除非另有说明。
所有测量均在一个制成在60赫兹与电阻性负载
+ 25 ° C除非另有规定的环境温度。
工作温度(T
J
)为-65℃ 〜+ 110 ℃, EC系列
设备, -65 ° C至+125°C的2N系列设备, -40 ° C至
+125°C的“ TCR ”系列,以及-40°C 〜+ 110 ℃,所有其他人。
存储温度范围(T
S
)为-65 ° C至+150°C的TO- 92
设备, -40°C至+150°C的TO- 202和COMPAK设备和
-40 ° C至+125°C的所有其他人。
铅焊料的温度最大为230 ℃, 10秒
最大
≥1/16"
(1.59 MM)的情况下。
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+1 972-580-7777
E5 - 4
©2004 Littelfuse公司
晶闸管产品目录
数据表
敏感的可控硅
V
GT
(4) (12) (22)
I
H
(5) (19)
I
GM
(17)
V
GRM
P
GM
(17)
P
G( AV )
I
TSM
(6) (13)
dv / dt的
的di / dt
t
gt
(8)
t
q
(9)
l
2
t
T
C
=
-40 °C
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
T
C
=
25 °C
最大
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
伏/微秒
T
C
=
110 °C
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
毫安
最大
6
6
6
8
8
8
6
6
6
8
8
8
6
6
6
8
8
8
安培
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
安培
60/50赫兹
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
T
C
= 110 °C
典型值
10
8
8
10
8
8
10
8
8
10
8
8
10
8
8
10
8
8
安/微秒
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
微秒
典型值
4
4
4
5
5
5
4
4
4
5
5
5
4
4
4
5
5
5
微秒
最大
50
50
50
45
45
45
50
50
50
45
45
45
50
50
50
45
45
45
安培
2
美国证券交易委员会
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
电气规格说明
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
识破图E5.9图E5.1为在额定电流
规定的操作温度。
参见图E5.10因为我
GT
与牛逼
C
或T
L
.
参见图E5.11瞬时通态电流(I
T
)与导通
态电压(V
T
) (典型值) 。
参见图E5.12为V
GT
与牛逼
C
或T
L
.
参见图E5.13因为我
H
与牛逼
C
或T
L
.
超过一个完整的周期,见图E5.14 。
0.8 A至4的器件还具有一个脉冲峰值正向电流导通
国家评级的75 A.这个等级(重复)适用于工作在
60赫兹, 75 ° C(最大值)选项卡(或阳极)铅温度,开关
从80 V峰值,为10 μs的最小正弦电流脉冲宽度,
最大15微秒。参见图E5.20和图E5.21 。
参见图E5.15在t
gt
与我
GT
.
试验条件如下:
– T
C
或T
L
≤80
℃,矩形电流波形
- 房价 - 中高层电流
≤10
A / μs的
- 费率-的反转电流
≤5
A / μs的
– I
TM
= 1 A( 50微秒脉冲) ,重复率= 60 PPS
– V
RRM
=额定
– V
R
= 15 V最小,V
DRM
=额定
- 上升率的重新施加正向阻断电压为5 V / μs的
- 栅极偏压= 0 V , 100
(关断过程中的时间间隔)
( 10 )测试条件最大额定电流有效值,除了TO- 92
设备是1.2 A
PK
; T106 / T107设备4的
PK
.
( 11 )参见包装概述了铅的形式配置。订货时
特殊的引线成形,加上型号为后缀的零件编号。
(12) V
D
= 6 V DC ,R
L
= 100
(参见图E5.19进行简单的测试电路
测量门极触发电压和门极触发电流)。
( 13 )参见图E5.1至图E5.9最大允许的情况下,
温度在最大额定电流。
(14) I
GT
= 500 μA最大在T
C
= -40°C的T106设备
(15) I
H
= 10 mA(最大值)在T
C
= -65 ℃, 2N5064系列和
2N6565系列设备
(16) I
H
= 6 mA(最大值)在T
C
= -40°C的T106设备
( 17 )脉冲宽度
≤10
µs
(18) I
GT
= 350 μA最大在T
C
= -65 ℃, 2N5064系列和
2N6565系列设备
(19)闭锁电流可以高于20毫安更高我
GT
类型。
此外,闩锁电流可在-40℃高得多。见图
E5.18.
(20) T
C
或T
L
= T
J
在关机状态下的测试条件
(21) I
DRM
RRM
= 50 μA为2N5064和100 μA为2N6565
125 °C
( 22 ) TO- 92在-65℃代替-40 ℃的专用设备
(23) T
C
= 110 °C
(8)
(9)
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Sensitive gate SCRs are easily triggered with microAmps of current
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